[發明專利]一種基于太赫茲超材料的多頻帶電磁感應透明結構

在審

• 申請號: 202010102420.6
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111200188A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 姜彥南;王嬌;陳艷君
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q15/02
• 代理公司: 桂林文必達專利代理事務所(特殊普通合伙) 45134
• 代理人: 張學平

1.一種基于太赫茲超材料的多頻帶電磁感應透明結構，其特征在于，

包括第一介質基板、第二介質基板、第一金屬條、第二金屬條、第一金屬對稱開口諧振圓環和第二金屬對稱開口諧振圓環，所述第二介質基板位于所述第一介質基板下，所述第一金屬條、所述第二金屬條、所述第一金屬對稱開口諧振圓環和所述第二金屬對稱開口諧振圓環均位于所述第一介質基板遠離所述第二介質基板的一側，所述第一金屬條和所述第二金屬條平行設置，所述第一金屬對稱開口諧振圓環位于所述第一金屬條和所述第二金屬條之間，所述第一金屬對稱開口諧振圓環具有兩個第一缺口，且兩個所述第一缺口分別位于靠近所述第一金屬條和所述第二金屬條的一側，所述第二金屬對稱開口諧振圓環位于所述第二金屬條遠離所述第一金屬對稱開口諧振圓環的一側，所述第二金屬對稱開口諧振圓環具有兩個第二缺口，且兩個所述第二缺口與兩個所述第一缺口位于同一直線上，所述第一金屬條、所述第二金屬條、所述第一金屬對稱開口諧振圓環和所述第二金屬對稱開口諧振圓環的幾何中心連線與所述第一介質基板表面的水平中線相重疊。

2.如權利要求1所述的基于太赫茲超材料的多頻帶電磁感應透明結構，其特征在于，

所述第一介質基板和所述第二介質基板的長度均為150um-176um，寬度均為120um，第一介質基板的高度為3um-8um，第二介質基板高度為20um-80um。

3.如權利要求1所述的基于太赫茲超材料的多頻帶電磁感應透明結構，其特征在于，

所述第一金屬條和第二金屬條的長度均為76um-80um，寬度均為3um-10um，高度均為200nm。

4.如權利要求1所述的基于太赫茲超材料的多頻帶電磁感應透明結構，其特征在于，

所述第一金屬對稱開口諧振圓環和所述第二金屬對稱開口諧振圓環的外半徑均為18un-25um，內半徑均為13un-20um，高度均為200nm。

5.如權利要求1所述的基于太赫茲超材料的多頻帶電磁感應透明結構，其特征在于，

所述第一金屬條和所述第一金屬對稱開口諧振圓環、所述第二金屬條和所述第二金屬對稱開口諧振圓環的間距均為5um，所述第一金屬對稱開口諧振圓環和所述第二金屬條的間距為5um。

6.如權利要求1所述的基于太赫茲超材料的多頻帶電磁感應透明結構，其特征在于，

所述第一缺口和所述第二缺口的橫截面積均為正方形，邊長均為5um。