[發明專利]光電轉換單元及圖像傳感器

有效

• 申請號: 202010101813.5
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111276502B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 雷述宇
• 申請（專利權）人: 寧波飛芯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種光電轉換單元，其特征在于，包括襯底、形成于所述襯底中的第一摻雜區和輸出端，所述第一摻雜區和所述輸出端之間形成導電溝道，所述襯底上形成有第一鉗位層，所述第一鉗位層與所述第一摻雜區相連接，還包括第一傳輸柵，所述第一傳輸柵至少部分與所述第一鉗位層相連接，所述第一鉗位層位于所述第一傳輸柵與所述第一摻雜區之間，所述襯底的摻雜材料類型與所述第一摻雜區的摻雜材料類型相同，且與所述第一鉗位層的摻雜材料類型不同。

2.根據權利要求1所述的光電轉換單元，其特征在于，所述光電轉換單元還包括形成于所述襯底上的吸附層，所述吸附層位于所述襯底遠離所述第一摻雜區的一側表面，所述吸附層用于吸附所述襯底上的空穴以降低電勢。

3.根據權利要求1所述的光電轉換單元，其特征在于，所述光電轉換單元還包括形成于所述襯底中的兩第一隔離區，兩所述第一隔離區分別位于所述襯底的相對兩側，所述第一隔離區的摻雜材料類型與所述襯底的摻雜材料類型不同。

4.根據權利要求1所述的光電轉換單元，其特征在于，所述光電轉換單元的襯底摻雜類型為N型摻雜材料。

5.根據權利要求1所述的光電轉換單元，其特征在于，所述光電轉換單元還包括形成于至少部分包含于所述第一摻雜區中的第一緩存區，所述第一緩存區位于所述第一摻雜區靠近所述輸出端的一側。

6.根據權利要求3所述的光電轉換單元，其特征在于，所述光電轉換單元還包括形成于至少部分包含于所述第一摻雜區中的第一緩存區，所述第一緩存區位于所述第一摻雜區靠近所述輸出端的一側，所述襯底中還形成有第二隔離區，所述第二隔離區與所述第一隔離區連接，所述第二隔離區在所述襯底上的投影覆蓋所述第一緩存區，所述第二隔離區的摻雜材料類型與所述第一隔離區的摻雜材料類型相同。

7.根據權利要求3所述的光電轉換單元，其特征在于，所述襯底中還形成有第三隔離區，所述第三隔離區直接或間接與所述第一隔離區連接，所述第三隔離區的摻雜材料類型與所述第一隔離區的摻雜材料類型相同，所述輸出端位于所述第三隔離區內。

8.根據權利要求1所述的光電轉換單元，其特征在于，所述襯底內形成有第二鉗位層，所述第二鉗位層與所述第一鉗位層連接，所述第二鉗位層的摻雜材料類型與所述第一鉗位層的摻雜材料類型相同。

9.根據權利要求8所述的光電轉換單元，其特征在于，所述第一鉗位層與所述第二鉗位層上形成有調制柵，所述調制柵連接于所述第一鉗位層與所述第二鉗位層之間。

10.根據權利要求8所述的光電轉換單元，其特征在于，所述第一鉗位層的摻雜材料濃度小于所述第二鉗位層的摻雜材料濃度。

11.一種圖像傳感器，其特征在于，包括如權利要求1至10中任意一項所述的光電轉換單元。

12.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器還包含電路模塊，所述電路模塊中第一傳輸柵獨立于所述輸出端，所述電路模塊還包括設置于直流偏置電壓源和所述輸出端連接線路上的具有復位功能的MOS管。