[發(fā)明專利]花籃裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010099966.0 | 申請日: | 2020-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN111276574A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王斯海;王廣華;王亞楠;李冬梅;鄭桂林;張家峰 | 申請(專利權(quán))人: | 通威太陽能(眉山)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 劉迎春 |
| 地址: | 620000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 花籃 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種用于承載制程中的多個太陽能電池片的花籃裝置,其支撐桿上具有齒結(jié)構(gòu)。其中,底齒在垂直于底支撐桿的平面上的投影由至少兩條輪廓線圍成,其中一條輪廓線為底齒與底支撐桿的交界部分的投影,其他輪廓線至少部分地為弧線;側(cè)齒在垂直于側(cè)支撐桿的平面上的投影由四條輪廓線圍成,其中三條輪廓線分別為一梯形的上底和兩條邊。根據(jù)本發(fā)明,底支撐桿和側(cè)支撐桿區(qū)別地設(shè)置有不同形狀的齒結(jié)構(gòu),底支撐桿上的齒結(jié)構(gòu)具有弧形輪廓,當太陽能電池片插錯撞齒時,太陽能電池片不會觸碰到尖角而發(fā)生崩片;側(cè)支撐桿的齒結(jié)構(gòu)形成為大致梯形,其能夠保證在其對太陽能電池片起到分片、約束的作用的前提下與太陽能電池片的接觸面積盡可能小。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及能源領(lǐng)域,尤其涉及一種承載制程中的多個太陽能電池片的花籃裝置。
背景技術(shù)
隨著全球煤炭、石油、天然氣等常規(guī)化石能源消耗速度加快,生態(tài)環(huán)境不斷惡化,特別是溫室氣體排放導致日益嚴峻的全球氣候變化,人類社會的可持續(xù)發(fā)展已經(jīng)受到嚴重威脅。世界各國紛紛制定各自的能源發(fā)展戰(zhàn)略,以應(yīng)對常規(guī)化石能源資源的有限性和開發(fā)利用帶來的環(huán)境問題。太陽能憑借其可靠性、安全性、廣泛性、長壽性、環(huán)保性、資源充足性的特點已成為最重要的可再生能源之一,有望成為未來全球電力供應(yīng)的主要支柱。
在新一輪能源變革過程中,我國光伏產(chǎn)業(yè)已成長為具有國際競爭優(yōu)勢的戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。然而,光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展仍面臨諸多問題與挑戰(zhàn),轉(zhuǎn)換效率與可靠性是制約光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最大技術(shù)障礙,而成本控制與規(guī)模化又在經(jīng)濟上形成制約。
太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片切割備料、去除損傷層、表面制絨及酸洗、擴散制結(jié)、去磷硅玻璃、等離子刻蝕及酸洗、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、快速燒結(jié)等大致步驟。在以上多個步驟中需要對硅片進行處理。例如表面制絨是利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu),制備絨面前,硅片須先進行初步表面腐蝕,用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20~25μm,在腐蝕絨面后,進行化學清洗。此外,去磷硅玻璃步驟通過化學腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡,使其產(chǎn)生化學反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸,以去除擴散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在以上放入強堿中制絨或者放入酸性溶液中進行清洗的步驟中,承載制程中的多個太陽能電池片的花籃裝置非常重要。
特別是在實際的電池片生產(chǎn)過程中,桿槽花籃應(yīng)用很多,在制絨工藝上承擔著裝盛原始的硅片、進入槽體中進行制絨工藝的重要作用。在制絨的過程中是通過桿槽花籃將硅片帶入各個工藝槽中進行工藝,而目前的花籃裝置的底桿上通常不設(shè)置齒或設(shè)置短齒,由于約束較少而導致在工藝的過程中由于液體的帶動使硅片的跳動范圍大,容易造成缺角、大崩邊甚至碎片;由于約束較少而導致尺寸大的硅片容易產(chǎn)生疊片,造成表面制絨不均勻;由于約束較少而導致在工藝中受重力和液體壓力的影響使硅片緊緊的貼在花籃齒上,在清洗后沒有被完全烘干而產(chǎn)生了外觀花籃印。
并且,在制程中的硅片流向擴散、刻蝕、退火工藝段時,桿槽式花籃也對硅片也有著一定的傷害。例如,在上下料時由于操作人員的松懈或設(shè)備的快速運動,使硅片在桿上產(chǎn)生應(yīng)力集中;在上料的時候由于硅片的下垂使硅片沒有在預(yù)定的時間接觸皮帶,提前進入傳輸,造成上料堵片、皮帶印。同時由于硅片的尺寸規(guī)格增大,而原有的花籃桿間距也大,容易導致在工人上下料的時候觸碰到硅片,增加了產(chǎn)生手指印的幾率。
進一步地,現(xiàn)有的花籃尤其不適于對于大尺寸的硅片。目前的花籃由于齒間間距太小,滿足不了硅片因外力影響下所體現(xiàn)出來的正常的彈性變形,導致部分硅片在進入液體工藝時產(chǎn)生疊片。當疊片在液體中進行工藝的時候就會使硅片表面工藝不均勻,影響電池片的效果;而硅片從液體中取出的時候,由于表面液體的流下,導致相鄰兩張硅片粘合在一起,將液體攜帶出槽體。在該工序段出現(xiàn)大量的疊片,將攜帶液體到另一個槽體工藝的時候污染液體,造成混液、影響溶液濃度,在后段則由于疊片攜帶藥液進入爐體,經(jīng)過高溫后硅片表面被燒焦造成碎片的產(chǎn)生。
另一方面,花籃裝置的側(cè)桿和底桿所起的作用并不完全,而現(xiàn)有的花籃裝置的側(cè)桿和底桿上的齒結(jié)構(gòu)卻并未區(qū)分,這樣的設(shè)置不利于底桿和側(cè)桿起到其支撐或約束作用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





