[發明專利]基板冷卻裝置和基板冷卻方法

在審

• 申請號: 202010099333.X
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111696888A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 薩米·K·哈托;喬治·薩科;馬修·C·法雷爾;迪安·焦拉
• 申請（專利權）人: 日新離子機器株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 鹿屹;李雪春

1.一種基板冷卻裝置，用于冷卻基板，所述基板具有上表面、下表面、以及與厚度對應的至少一個垂直側面，所述基板冷卻裝置的特征在于，包括：

腔室，構成為接收所述基板，并且具備多個側壁部，所述多個側壁部包圍所述基板且在與所述基板的所述垂直側面平行的垂直方向延伸；

至少一個氣體導入口，形成于所述腔室的第一側壁部，并且構成為在與所述基板的所述上表面和所述下表面平行的橫向上，向所述腔室內導入冷卻氣體；以及

至少一個氣體出口，形成在與所述腔室的所述第一側壁部隔著所述基板位于相反側的所述腔室的第二側壁部，并且構成為將所述冷卻氣體的至少一部分沿著所述橫向導向所述腔室的外部，

所述氣體導入口和所述氣體出口以下述方式定位：使所述冷卻氣體以在所述橫向橫穿所述基板的所述上表面上和所述下表面上的方式流動。

2.根據權利要求1所述的基板冷卻裝置，其特征在于，所述氣體出口定位在與所述基板在所述垂直方向上相同的位置。

3.根據權利要求1所述的基板冷卻裝置，其特征在于，所述氣體導入口定位在與所述基板在所述垂直方向上相同的位置。

4.根據權利要求1所述的基板冷卻裝置，其特征在于，還包括配置在所述腔室內的至少一個緩沖器，所述緩沖器以限制所述基板在所述橫向的活動的方式在所述垂直方向直立設置。

5.根據權利要求4所述的基板冷卻裝置，其特征在于，所述緩沖器與承載所述基板的所述腔室內的襯墊一體化。

6.根據權利要求1所述的基板冷卻裝置，其特征在于，還包括夾緊銷，所述夾緊銷配置在所述腔室內，以限制所述基板在所述垂直方向和所述橫向的活動中的至少一方的方式，在所述垂直方向對所述基板以物理方式施加壓力。

7.根據權利要求6所述的基板冷卻裝置，其特征在于，能在所述垂直方向收納所述夾緊銷。

8.根據權利要求1所述的基板冷卻裝置，其特征在于，還包括至少一個第二氣體導入口，所述至少一個第二氣體導入口配置于所述腔室的上壁，并且構成為向所述腔室內導入第二氣體并使所述第二氣體在所述垂直方向流動。

9.根據權利要求8所述的基板冷卻裝置，其特征在于，以利用所述第二氣體的流動在所述垂直方向對所述基板施加壓力的方式，將所述第二氣體導入所述腔室內。

10.根據權利要求1所述的基板冷卻裝置，其特征在于，還包括與所述氣體導入口連通的一個或多個閥，所述閥構成為能調整經由所述氣體導入口導入所述腔室內的所述冷卻氣體的流量。

11.一種基板冷卻方法，用于冷卻基板，所述基板具有上表面、下表面、以及與厚度對應的至少一個垂直側面，所述基板冷卻方法的特征在于，包括：

將所述基板配置在腔室內，其中，所述腔室具備多個側壁部，所述多個側壁部包圍所述基板且在與所述基板的垂直側面平行的垂直方向延伸；

經由配置在所述腔室的第一側壁部的至少一個氣體導入口，在與所述基板的所述上表面和所述下表面平行的橫向上，向所述腔室內導入冷卻氣體；

經由形成于第二側壁部的至少一個氣體出口，將所述冷卻氣體的至少一部分沿著所述橫向導向所述腔室的外部，其中，所述第二側壁部與所述腔室的所述第一側壁部隔著所述基板位于相反側；

使所述冷卻氣體以在所述橫向橫穿所述基板的所述上表面上和下表面上的方式流動。