[發明專利]形成三維存儲器設備的多分區階梯結構的方法

有效

• 申請號: 202010098703.8
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN111293119B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 華文宇;張中;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/11575
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 楊錫勱;劉柳

1.一種用于形成三維3D存儲器設備的階梯結構的方法，包括：

形成包括交錯的第一材料層和第二材料層的疊層結構；

在所述疊層結構的第一區域中圖案化第一光刻膠掩模；

通過對由在第一方向上修整所述第一光刻膠掩模和蝕刻所述疊層結構未被所述第一光刻膠掩模覆蓋的部分構成的循環進行多次，在所述疊層結構的所述第一區域中在所述第一方向上的不同深度處形成第一多個分區；

在所述疊層結構的所述第一區域中，在垂直于所述第一方向的第二方向上形成所述第一多個分區的多個第一臺階；

在形成所述多個第一臺階之后，在所述疊層結構的第二區域中圖案化第二光刻膠掩模；

通過對由在所述第一方向上修整所述第二光刻膠掩模和蝕刻所述疊層結構未被所述第二光刻膠掩模覆蓋的另一部分構成的循環進行多次，在所述疊層結構的所述第二區域中在所述第一方向上的不同深度處形成第二多個分區；以及

在所述疊層結構的所述第二區域中在所述第二方向上形成所述第二多個分區的多個第二臺階，

其中，所述第一光刻膠掩模包括在第一方向上彼此分離的多個第一圖案，并且所述第二光刻膠掩模包括在第一方向上彼此分離的多個第二圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一多個分區包括：

按照臺階深度蝕刻所述疊層結構未被所述第一光刻膠掩模覆蓋的所述部分；

修整所述第一光刻膠掩模以擴大所述疊層結構未被所述第一光刻膠掩模覆蓋的所述部分；

按照所述臺階深度蝕刻所述疊層結構未被修整的所述第一光刻膠掩模覆蓋的擴大部分；以及

基于所述第一多個分區的數量對修整和蝕刻循環重復多次。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在所述第一方向和所述第二方向二者上修整所述第一光刻膠掩模。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述疊層結構的所述第一區域比所述疊層結構的所述第二區域更靠近所述3D存儲器設備的存儲器陣列結構。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述疊層結構的所述第二區域在所述第二方向上與所述疊層結構的所述第一區域分離。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述疊層結構的所述第二區域在所述第二方向上鄰接所述疊層結構的所述第一區域。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述疊層結構的所述第二區域在所述第二方向上與所述疊層結構的所述第一區域重疊。

8.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述第二光刻膠掩模包括在所述第一方向上彼此分離的多個第二圖案。

9.根據權利要求2或3所述的方法，其中，形成所述第二多個分區包括：

按照所述臺階深度蝕刻所述疊層結構未被所述第二光刻膠掩模覆蓋的部分；

修整所述第二光刻膠掩模以擴大所述疊層結構未被所述第二光刻膠掩模覆蓋的部分；

按照臺階深度蝕刻所述疊層結構未被修整的所述第二光刻膠掩模覆蓋的擴大部分；以及

基于所述第二多個分區的數量對修整和蝕刻循環重復多次。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述第一方向和所述第二方向二者上修整所述第二光刻膠掩模。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第二多個分區的數量與所述第一多個分區的數量相同。

12.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，每個所述第一材料層包括導體層，并且每個所述第二材料層包括電介質層。

13.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，每個所述第一材料層包括第一電介質層，并且每個所述第二材料層包括與所述第一電介質層不同的第二電介質層。