[發(fā)明專利]包括貫穿基底過孔的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010098518.9
• 申請(qǐng)日: 2020-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN112242365A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸明珠;黃載元;文光辰;樸建相
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L25/18;H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強(qiáng)

公開了一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：基底；第一貫穿基底過孔，被構(gòu)造為至少部分地穿透基底，第一貫穿基底過孔具有第一高寬比；以及第二貫穿基底過孔，被構(gòu)造為至少部分地穿透基底。第二貫穿基底過孔具有大于第一高寬比的第二高寬比，并且第一貫穿基底過孔和第二貫穿基底過孔中的每個(gè)包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。第一貫穿基底過孔的第一導(dǎo)電層在豎直方向上的厚度小于第二貫穿基底過孔的第一導(dǎo)電層在豎直方向上的厚度。

本申請(qǐng)要求于2019年7月17日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0086635號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)思想涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。更具體地，發(fā)明構(gòu)思涉及一種包括貫穿基底過孔的半導(dǎo)體器件以及一種制造該半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

貫穿基底過孔可以用于將半導(dǎo)體芯片連接到另一半導(dǎo)體芯片或連接到封裝基底。例如，貫穿基底過孔可以用在諸如圖像傳感器、堆疊存儲(chǔ)器或中介體的各種半導(dǎo)體器件中。與使用引線鍵合的連接方法相比，使用貫穿基底過孔的連接方法在速度、功耗和/或小型化方面可以是有利的。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思提供了一種包括具有不同的高寬比且沒有空隙的貫穿基底過孔的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：基底；第一貫穿基底過孔，被構(gòu)造為至少部分地穿透基底，第一貫穿基底過孔具有第一高寬比；以及第二貫穿基底過孔，被構(gòu)造為至少部分地穿透基底，第二貫穿基底過孔具有第二高寬比，其中，第一貫穿基底過孔和第二貫穿基底過孔中的每個(gè)包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，并且第一貫穿基底過孔的第一導(dǎo)電層在豎直方向上的厚度小于第二貫穿基底過孔的第一導(dǎo)電層在豎直方向上的厚度。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：基底；集成電路，位于基底的底表面上；第一貫穿基底過孔，被構(gòu)造為至少部分地穿透基底，第一貫穿基底過孔具有第一直徑；第二貫穿基底過孔，被構(gòu)造為至少部分地穿透基底，第二貫穿基底過孔具有小于第一直徑的第二直徑；過孔絕緣層，位于第一貫穿基底過孔與基底之間以及位于第二貫穿基底過孔與基底之間；兩個(gè)頂墊，包括第一頂墊和第二頂墊，第一頂墊位于第一貫穿基底過孔的頂端上，并且第二頂墊位于第二貫穿基底過孔的頂端上；兩個(gè)底墊，包括第一底墊和第二底墊，第一底墊位于第一貫穿基底過孔的底端上，并且第二底墊位于第二貫穿基底過孔的底端上；以及兩個(gè)凸塊，包括第一凸塊和第二凸塊，第一凸塊位于第一底墊上，并且第二凸塊位于第二底墊上，其中，第一貫穿基底過孔和第二貫穿基底過孔中的每個(gè)包括位于第一貫穿基底過孔和第二貫穿基底過孔中的每個(gè)的底部部分中的底部導(dǎo)電層以及位于第一貫穿基底過孔和第二貫穿基底過孔中的每個(gè)的頂部部分中的頂部導(dǎo)電層，并且第一貫穿基底過孔的頂部導(dǎo)電層在豎直方向上的厚度小于第二貫穿基底過孔的頂部導(dǎo)電層在豎直方向上的厚度。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：封裝基底；第一半導(dǎo)體芯片，位于封裝基底上；以及第二半導(dǎo)體芯片，位于第一半導(dǎo)體芯片上，其中，第一半導(dǎo)體芯片包括：基底；第一貫穿基底過孔，被構(gòu)造為至少部分地穿透第一半導(dǎo)體芯片的基底；第二貫穿基底過孔，被構(gòu)造為至少部分地穿透第一半導(dǎo)體芯片的基底，第二貫穿基底過孔具有大于第一貫穿基底過孔的高寬比的高寬比；第一阻擋層，位于基底與第一貫穿基底過孔之間；以及第二阻擋層，位于基底與第二貫穿基底過孔之間，其中，第一半導(dǎo)體芯片的第一貫穿基底過孔和第二貫穿基底過孔中的每個(gè)包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，并且第一貫穿基底過孔的第一導(dǎo)電層在豎直方向上的厚度小于第二貫穿基底過孔的第一導(dǎo)電層在豎直方向上的厚度。