[發明專利]具有溝槽型柵極的器件的制作方法

在審

• 申請號: 202010098122.4
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111276535A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 楊繼業;潘嘉;趙龍杰;黃璇
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種具有溝槽型柵極的器件的制作方法，涉及半導體制造領域。該方法包括提供一襯底，在襯底內制作溝槽型柵極，在襯底表面沉積TEOS作為層間介質層，通過光刻工藝形成接觸孔圖形，根據接觸孔圖形刻蝕層間介質層，得到接觸孔；解決了現有技術制作帶有溝槽型柵的器件時，單純增加柵氧厚度無法提高柵端的負向擊穿電壓的問題；達到了在無需改變器件設計的情況下，縮短工藝時間，提高器件柵端的負向擊穿電壓。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種具有溝槽型柵極的器件的制作方法。

背景技術

具有溝槽型柵極結構的MOS器件，比如Trench IGBT、Trench VDMOS，在實際應用中因為柵氧關斷時的寄生電容放電過程會導致柵端有一個尖峰電壓，因此要求柵端能夠承受較高的負向擊穿電壓。

目前柵氧化層的材料一般是二氧化硅，單純的增加柵氧化層的厚度無法提高柵端的負向擊穿電壓。

發明內容

為了解決現有技術的問題，本申請提供了一種具有溝槽型柵極的器件的制作方法。該技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種具有溝槽型柵極的器件的制作方法，該方法包括：

提供一襯底，在襯底內制作溝槽型柵極；

在襯底表面沉積TEOS作為層間介質層；

通過光刻工藝形成接觸孔圖形；

根據接觸孔圖形刻蝕層間介質層，得到接觸孔。

可選的，通過光刻工藝形成接觸孔圖形之前，還包括：

向TEOS層內注入氬離子。

可選的，氬離子的注入劑量為1E12～5E13離子/m³，氬離子的注入能量為80keV～450keV。

可選的，在襯底表面沉積TEOS作為層間介質層，包括：

通過PECVD工藝在襯底表面沉積TEOS作為層間介質層。

可選的，層間介質層的厚度至少為1000A。

可選的，在襯底內制作溝槽型柵極，包括：

通過光刻工藝在襯底表面形成溝槽圖形；

根據溝槽圖形刻蝕襯底，得到溝槽；

生長柵氧化層，柵氧化層覆蓋溝槽的側面和底部；

沉積多晶硅，形成溝槽型柵極。

可選的，根據接觸孔圖形刻蝕層間介質層，得到接觸孔，包括：

根據接觸孔圖形，通過濕法刻蝕工藝和/或干法刻蝕工藝刻蝕層間介質層，得到接觸孔。

可選的，方法至少應用于Trench IGBT、Trench VDMOS、Trench超結VDMOS。

本申請技術方案，至少包括如下優點：

通過提供一襯底，在襯底內制作溝槽型柵極，在襯底表面沉積TEOS作為層間介質層，通過光刻工藝形成接觸孔圖形，根據接觸孔圖形刻蝕層間介質層，得到接觸孔；解決了現有技術制作帶有溝槽型柵的器件時，單純增加柵氧厚度無法提高柵端的負向擊穿電壓的問題；達到了在無需改變器件設計的情況下，縮短工藝時間，提高器件柵端的負向擊穿電壓。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。