[發明專利]具有溝槽型柵極的器件的制作方法在審
| 申請號： | 202010098122.4 | 申請日： | 2020-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN111276535A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 楊繼業;潘嘉;趙龍杰;黃璇 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 羅雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 溝槽 柵極 器件 制作方法 | ||
1.一種具有溝槽型柵極的器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一襯底，在所述襯底內制作溝槽型柵極；
在所述襯底表面沉積TEOS作為層間介質層；
通過光刻工藝形成接觸孔圖形；
根據所述接觸孔圖形刻蝕所述層間介質層，得到接觸孔。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過光刻工藝形成接觸孔圖形之前，還包括：
向所述TEOS層內注入氬離子。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氬離子的注入劑量為1E12～5E13離子/m3，所述氬離子的注入能量為80keV～450keV。
4.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述在襯底表面沉積TEOS作為層間介質層，包括：
通過PECVD工藝在所述襯底表面沉積TEOS作為層間介質層。
5.根據權利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述層間介質層的厚度至少為1000A。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底內制作溝槽型柵極，包括：
通過光刻工藝在所述襯底表面形成溝槽圖形；
根據所述溝槽圖形刻蝕所述襯底，得到溝槽；
生長柵氧化層，所述柵氧化層覆蓋所述溝槽的側面和底部；
沉積多晶硅，形成溝槽型柵極。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述接觸孔圖形刻蝕所述層間介質層，得到接觸孔，包括：
根據所述接觸孔圖形，通過濕法刻蝕工藝和/或干法刻蝕工藝刻蝕所述層間介質層，得到所述接觸孔。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法至少應用于Trench IGBT、TrenchVDMOS、Trench超結VDMOS。
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