[發(fā)明專利]一種具有DBR絕緣保護的出光均勻LED芯片及其制作方法

在審

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• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111146321A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設計）人: 鄧梓陽;崔永進;范凱平;仇美懿;徐亮;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

本發(fā)明公開了一種具有DBR絕緣保護的出光均勻LED芯片及其制作方法，所述芯片包括襯底、設于襯底正面的發(fā)光結構、設于發(fā)光結構上的第一DBR反射層、以及設于襯底背面的第二DBR反射層，所述第一DBR反射層為單堆結構，所述第二DBR反射層為多堆結構，發(fā)光結構發(fā)出的光經過第一DBR反射層和第二DBR反射層反射后，芯片正向及側向發(fā)光強度趨于相同。本發(fā)明通過第一DBR反射層和第二DBR反射層的相互配合，減少芯片向上及向下出光，增加芯片側向出光，以使芯片正向及側向發(fā)光強度趨于相同。此外，本發(fā)明的第一DBR反射層覆蓋在發(fā)光結構正面還可以作為保護層，從而節(jié)省一道氧化硅絕緣層沉積工藝，進而縮短制程時間及節(jié)約制造成本。

技術領域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術領域，尤其涉及一種具有DBR絕緣保護的出光均勻LED芯片及其制作方法。

背景技術

LED作為新一代的固態(tài)光源，具有節(jié)能環(huán)保、高光效、使用壽命長、穩(wěn)定性高等優(yōu)點。在背光應用領域，LED由于其自身高光電轉換效率、體積小、綠色環(huán)保，而有望逐漸取代冷陰極燈管成為液晶顯示屏中的重要組成部分。將正裝LED芯片用于背光顯示應用，由于其正向及側向發(fā)光強度不同，會導致在背光顯示中出現(xiàn)明暗點陣，從而影響最終的顯示效果。

此外，現(xiàn)有的LED芯片為了防止水汽進入，需要在芯片的表面沉積一層氧化硅絕緣層來來保護芯片。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題在于，提供一種具有DBR絕緣保護的出光均勻LED芯片，結構簡單，芯片正向及側向發(fā)光強度趨于相同。

本發(fā)明所要解決的技術問題在于，提供一種具有DBR絕緣保護的出光均勻LED芯片的制作方法，結構簡單，芯片正向及側向發(fā)光強度趨于相同。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種具有DBR絕緣保護的出光均勻LED芯片，包括襯底、設于襯底正面的發(fā)光結構、設于發(fā)光結構上的第一DBR反射層、以及設于襯底背面的第二DBR反射層；

所述第一DBR反射層為單堆結構，所述第二DBR反射層為多堆結構；

所述第一DBR反射層的反射光譜中，反射率大于80％的波長寬度范圍為150～350nm；

所述第二DBR反射層的反射光譜中，反射率大于95％的波長寬度范圍為200～450nm；

發(fā)光結構發(fā)出的光經過第一DBR反射層和第二DBR反射層反射后，芯片正向及側向發(fā)光強度趨于相同。

作為上述方案的改進，所述第二DBR反射層為三堆結構，依次包括第一堆結構、第二堆結構和第三堆結構，其中，第一堆結構的單堆光學厚度＞第二堆結構的單堆光學厚度＞第三堆結構的單堆光學厚度，其中，入射光線依次經過第一堆結構、第二堆結構和第三堆結構。

作為上述方案的改進，第一堆結構的各層光學厚度為(1.0～1.4)*λ，第二堆結構的各層光學厚度為(0.9～1.0)*λ，第三堆結構的各層光學厚度為(0.7～0.9)*λ，其中，λ為發(fā)光結構發(fā)出的光的中心波長的四分之一。

作為上述方案的改進，所述第一DBR反射層的各層光學厚度為λ。

作為上述方案的改進，所述第一DBR反射層和第二DBR反射層由若干個周期的反射膜組組成，所述反射膜組由第一膜層和第二膜層組成，其中，第一膜層的折射率與第二膜層的折射率不同。

作為上述方案的改進，所述第一膜層的材料為氧化硅、氧化鈦、氧化鉿、氟化鎂、氧化釔、硫化鋅、氧化鋯和氮化硅中的一種，所述第二膜層的材料為氧化硅、氧化鈦、氧化鉿、氟化鎂、氧化釔、硫化鋅、氧化鋯和氮化硅中的一種。

相應地，本發(fā)明還提供了一種具有DBR絕緣保護的出光均勻LED芯片的制作方法，包括：

在芯片的正面形成發(fā)光結構；