[發(fā)明專利]薄膜形成裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010092653.2
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN113337809A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設計）人: 長江亦周;宮內(nèi)充祐;高坂佳弘;青山貴昭;遠藤光人
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社新柯隆
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/455;G02B1/10;G02B1/11
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 周達;張印鐸

1.一種薄膜形成裝置，其特征在于，包括：

用于容納基板的真空成膜室；

用于向所述真空成膜室導入氣體的導入機構(gòu)；

用于在所述真空成膜室中形成等離子體的等離子源；所述等離子源能在所述基板上利用所述氣體進行等離子體化學氣相沉積形成低折射率薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述等離子源包括：安裝于所述真空成膜室外的殼體、位于所述殼體內(nèi)的天線；所述天線經(jīng)由電介質(zhì)部配置在所述真空成膜室外；所述天線具有被施加高頻電力的連接部。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述天線具有并聯(lián)的兩個渦狀線圈。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述等離子源的功率可調(diào)。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述導入機構(gòu)包括：用于向所述真空成膜室中導入CVD原料氣體的第一導入部、以及用于向所述真空成膜室中導入氧氣和/或氬氣的第二導入部。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述CVD原料包括TEOS、HDMS4、HMDSO、SiH4、SiH2、Si(OC2H5)、SiHCL3中的至少一種。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述導入機構(gòu)被設置為導入氣體參數(shù)可調(diào)；所述導入氣體參數(shù)包括：氣體種類、氣體流量。

8.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述薄膜形成裝置包括：

用于搬運基板的搬運機構(gòu)；

用于排氣形成真空環(huán)境的加載室；

用于將成膜后的基板卸載的卸載室；所述真空成膜室位于所述加載室和所述卸載室之間；所述搬運機構(gòu)搬運所述基板順次經(jīng)過所述加載室、所述真空成膜室、所述卸載室。

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述搬運機構(gòu)包括搬送輥、或傳送帶。

10.如權(quán)利要求1-9任一所述的薄膜形成裝置，其特征在于：所述低折射率薄膜的折射率在1.5以下。