[發(fā)明專利]芯片電阻器及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010091090.5 | 申請日： | 2017-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN111276305A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 米田將記 | 申請（專利權）人： | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/20 | 分類號： | H01C7/20;H01C1/148;H01C1/012;H01C17/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 電阻器 及其 制造 方法 | ||
1.一種芯片電阻器，其特征在于具備：
基板，具有相互朝向相反側的搭載面及安裝面；
一對上表面電極，配置于所述基板的所述搭載面的兩端；
電阻體，在所述基板的所述搭載面上搭載于所述一對上表面電極之間，且分別與所述一對上表面電極導通；
應力緩和層，形成于所述基板的所述安裝面，且具有柔性；
金屬薄膜層，形成于所述應力緩和層的與所述基板為相反側的面，且具有在第1方向上隔開的一對區(qū)域；
一對側面電極，分別使所述一對上表面電極與所述金屬薄膜層的一對區(qū)域導通；以及
鍍覆層，覆蓋所述側面電極及所述金屬薄膜層，
所述應力緩和層具有在所述第1方向上相互隔開且分別形成于所述基板的所述安裝面的兩端的一對區(qū)域，
所述應力緩和層的所述各區(qū)域中在所述第1方向上相互對向的端部從所述金屬薄膜層露出，所述鍍覆層接在所述應力緩和層的所述端部以及所述基板。
2.根據權利要求1所述的芯片電阻器，其中
所述上表面電極的一部分夾在所述搭載面與所述電阻體之間，且被所述電阻體覆蓋。
3.根據權利要求2所述的芯片電阻器，其中
在所述電阻體中，覆蓋所述上表面電極的一部分的部分的厚度比覆蓋所述基板的部分薄。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的芯片電阻器，其中
所述上表面電極是平坦的。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的芯片電阻器，其中
所述上表面電極以及所述電阻體是平坦的。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的芯片電阻器，其中
所述應力緩和層包含Ag。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的芯片電阻器，其中
所述金屬薄膜層包含濺鍍層。
8.根據權利要求7所述的芯片電阻器，其中
所述側面電極具有第2濺鍍層，該第2濺鍍層形成于位于所述基板的所述搭載面與所述安裝面之間的所述基板的側面；且
所述濺鍍層與所述第2濺鍍層一體地形成。
9.根據權利要求1至3中任一項所述的芯片電阻器，其中
所述金屬薄膜層以及所述側面電極的至少一者包含Ni-Cr合金。
10.根據權利要求1至3中任一項所述的芯片電阻器，其中
所述電阻體的俯視形狀為蛇形。
11.一種芯片電阻器，其特征在于具備：
基板，具有相互朝向相反側的搭載面及安裝面；
一對上表面電極，配置于所述基板的所述搭載面的兩端；
電阻體，在所述基板的所述搭載面上搭載于所述一對上表面電極之間，且分別與所述一對上表面電極導通；
應力緩和層，形成于所述基板的所述安裝面，且具有柔性；
金屬薄膜層，形成于所述應力緩和層的與所述基板為相反側的面，且具有在第1方向上隔開的一對區(qū)域；
一對側面電極，分別使所述一對上表面電極與所述金屬薄膜層的一對區(qū)域導通；以及
鍍覆層，覆蓋所述側面電極及所述金屬薄膜層，
所述應力緩和層具有在所述第1方向上相互隔開且分別形成于所述基板的所述安裝面的兩端的一對區(qū)域，
所述金屬薄膜層的所述各區(qū)域覆蓋所述應力緩和層的所述各區(qū)域中在所述第1方向上相互對向的端面。
12.根據權利要求11所述的芯片電阻器，其中
所述鍍覆層與所述應力緩和層隔開。
13.根據權利要求11或12所述的芯片電阻器，其中
所述上表面電極的一部分夾在所述搭載面與所述電阻體之間，且被所述電阻體覆蓋。
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