[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010089629.3
• 申請(qǐng)日: 2020-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN111584613A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 內(nèi)田正雄;齋藤浩一;長(zhǎng)谷川貴史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

1.一種半導(dǎo)體元件，具備；

單導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板，具有主面以及背面，該背面位于與所述主面相反的一側(cè)；

單導(dǎo)電型的碳化硅半導(dǎo)體層，配置在所述半導(dǎo)體基板的所述主面上；

末端區(qū)域，配置在所述碳化硅半導(dǎo)體層內(nèi)，并且配置在所述碳化硅半導(dǎo)體層的中央?yún)^(qū)域的周圍；

絕緣膜，覆蓋所述末端區(qū)域的一部分，使其他部分露出；

第1電極，配置在所述碳化硅半導(dǎo)體層的所述中央?yún)^(qū)域的至少一部分上；

第2電極，配置在所述半導(dǎo)體基板的所述背面上，與所述半導(dǎo)體基板形成歐姆結(jié)；

密封環(huán)，配置在所述末端區(qū)域的所述其他部分上且配置在所述第1電極的周圍；以及

鈍化膜，覆蓋所述絕緣膜的至少一部分以及所述密封環(huán)的至少一部分，包含有機(jī)膜，

在從與所述主面垂直的方向觀察時(shí)，

所述鈍化膜的外周端部包圍所述密封環(huán)的外周端部，

所述碳化硅半導(dǎo)體層具有四邊形的形狀，

所述碳化硅半導(dǎo)體層的所述四邊形的邊部的從所述密封環(huán)的所述外周端部到所述鈍化膜的所述外周端部的距離L2、所述碳化硅半導(dǎo)體層的所述四邊形的角部的從所述密封環(huán)的所述外周端部到所述鈍化膜的所述外周端部的距離L1、所述碳化硅半導(dǎo)體層的所述角部的所述鈍化膜的所述外周端部的曲率半徑R1，滿足L1＞L2且R1≥L2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述距離L2為5μm以上且25μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

在從與所述主面垂直的方向觀察時(shí)，所述碳化硅半導(dǎo)體層的所述角部的所述鈍化膜的所述外周端部的曲率中心位于由所述密封環(huán)的所述外周端部包圍的區(qū)域內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

在將從與所述主面垂直的方向觀察時(shí)的所述角部的所述密封環(huán)的外周端部的曲率半徑設(shè)為R5時(shí)，滿足R1＜R5。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述密封環(huán)包含金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中，

在所述第1電極上，具備包含與所述密封環(huán)相同材料的金屬的表面電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述第1電極與所述碳化硅半導(dǎo)體層形成肖特基結(jié)。