[發(fā)明專利]S-FSK接收器的位切割器電路、集成電路及其相關(guān)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010089105.4
• 申請日: 2020-02-12
• 公開（公告）號: CN111565055B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: N·克萊默;A·M·阿庫爾;A·A·帕特基;T·P·保萊蒂;T·潘德
• 申請（專利權(quán)）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H04B1/16
• 分類號: H04B1/16;H04B1/69;H04L27/12
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種集成電路，其包括：

位切割電路，其包括：

處理電路，其被配置成接收第一和第二離散頻率功率估計，其中所述第一和第二離散頻率功率估計基于擴頻型頻移鍵控S-FSK波形，其中所述第一和第二離散頻率功率估計代表使用S-FSK調(diào)制以形成所述S-FSK波形的一系列數(shù)據(jù)幀中的數(shù)字邏輯電平，每個數(shù)據(jù)幀包含至少一個字，其中每個字包含多個位周期；

其中所述處理電路被配置成接收第一和第二信噪比SNR參數(shù)，其中所述第一和第二SNR參數(shù)代表相對于所述一系列數(shù)據(jù)幀的相應的所述第一和第二離散頻率功率估計的動態(tài)SNR；

其中所述處理電路被配置成基于所述第一和第二SNR參數(shù)從一組可用的位切割技術(shù)中選擇一種位切割技術(shù)以生成所述第一和第二離散頻率功率估計的個別位周期的數(shù)據(jù)位值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其進一步包括：

數(shù)字濾波電路；和

參數(shù)計算電路；

其中所述數(shù)字濾波電路被配置成接收所述S-FSK波形，處理所述S-FSK波形以創(chuàng)建所述第一和第二離散頻率功率估計，并且將所述第一和第二離散頻率功率估計提供給所述處理電路；

其中所述參數(shù)計算電路被配置成從所述數(shù)字濾波電路接收所述第一和第二離散頻率功率估計，處理所述第一和第二離散頻率功率估計以創(chuàng)建所述第一和第二SNR參數(shù)，并且將所述第一和第二SNR參數(shù)提供給所述處理電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述處理電路被配置成為了所述一系列數(shù)據(jù)幀的所述字的所述位周期生成位數(shù)據(jù)值，并且基于所述位數(shù)據(jù)值生成數(shù)字數(shù)據(jù)流，其中所述數(shù)字數(shù)據(jù)流代表使用S-FSK調(diào)制以形成所述S-FSK波形的所述一系列數(shù)據(jù)幀中的所述數(shù)字邏輯電平，所述集成電路進一步包括：

相關(guān)器電路，其被配置成從所述處理電路接收數(shù)字數(shù)據(jù)流，將所述數(shù)字數(shù)據(jù)流解碼成碼字，基于預定協(xié)議將所述碼字相關(guān)，并且基于所述碼字和所述預定協(xié)議生成一或多個中間控制信號；和

保活(keep alive)電路，其被配置成從所述相關(guān)器電路接收所述一或多個中間控制信號，處理所述一或多個中間控制信號以生成一或多個通信信號，并且在輸出端子處提供所述一或多個通信信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中與選擇所述位切割技術(shù)相結(jié)合，所述處理電路被配置成選擇“零能量”位切割技術(shù)以生成“0”值作為所述個別位周期的所述數(shù)據(jù)位值，其中：

i)所述第一和第二SNR參數(shù)之和小于第一SNR閾值；

ii)所述第一SNR參數(shù)小于第二SNR閾值；并且

iii)所述第二SNR參數(shù)小于所述第二SNR閾值，其中所述第二SNR閾值小于所述第一SNR閾值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中與選擇所述位切割技術(shù)相結(jié)合，所述處理電路被配置成選擇適合于所述第一離散頻率功率估計的二進制幅移鍵控BASK位切割技術(shù)以生成二進制值作為所述個別位周期的所述數(shù)據(jù)位值，其中：

i)所述第一SNR參數(shù)大于第二SNR閾值；

ii)所述第二SNR參數(shù)小于所述第二SNR閾值；并且

iii)所述第一和第二SNR參數(shù)之間的差大于第三SNR閾值，其中所述第三SNR閾值小于所述第二SNR閾值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中與選擇所述位切割技術(shù)相結(jié)合，所述處理電路被配置成選擇適合于所述第二離散頻率功率估計的二進制幅移鍵控BASK位切割技術(shù)以生成所述二進制值作為所述個別位周期的所述數(shù)據(jù)位值，其中：

i)所述第一SNR參數(shù)小于第二SNR閾值；

ii)所述第二SNR參數(shù)大于所述第二SNR閾值；并且

iii)所述第二和第一SNR參數(shù)之間的差大于第三SNR閾值，其中所述第三SNR閾值小于所述第二SNR閾值。