[發(fā)明專利]包括處理步驟的循環(huán)沉積方法及用于其的裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010088106.7
• 申請(qǐng)日: 2020-02-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111593329A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S.H.李;H.Y.權(quán);K.K.金;S.B.金;J.H.安;S.R.金
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/50;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種在基板表面的表面上沉積材料的方法，所述方法包括步驟：

在反應(yīng)腔室中提供基板；

由第一反應(yīng)物形成第一活性物質(zhì)以改性所述基板的表面；和

進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)沉積循環(huán)以沉積所述材料，其中每個(gè)沉積循環(huán)包括：

向所述基板引入第二反應(yīng)物，其中所述第二反應(yīng)物與所述表面反應(yīng)形成化學(xué)吸附材料；和

由第三反應(yīng)物形成第二活性物質(zhì)，所述第二活性物質(zhì)與所述化學(xué)吸附材料反應(yīng)形成沉積材料，其中形成第一活性物質(zhì)的步驟的數(shù)量與沉積循環(huán)的數(shù)量的比率在約1∶1至約1∶10的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成第一活性物質(zhì)的步驟的數(shù)量與沉積循環(huán)的數(shù)量的比率在約1∶1至約1∶5的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述表面包含硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一活性物質(zhì)從所述表面去除氫和羥基基團(tuán)中的一者或多者。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物的流動(dòng)在形成第一活性物質(zhì)的步驟和進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)沉積循環(huán)的步驟期間是連續(xù)的。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述形成第一活性物質(zhì)的步驟不包括吹掃步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括向所述反應(yīng)腔室提供惰性氣體的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在形成第一活性物質(zhì)和進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)沉積循環(huán)的步驟期間連續(xù)地提供所述惰性氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物包含氮。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物包含氮、NH₃、NO、N₂O、NO₂中的一種或多種。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二反應(yīng)物包含硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二反應(yīng)物包含硅烷、氨基硅烷、硅氧烷胺、硅氮烷胺、碘硅烷和氯化物中的一種或多種。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第三反應(yīng)物包含氧。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第三反應(yīng)物包含水、過(guò)氧化氫和臭氧中的一種或多種。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)腔室內(nèi)基板支架的溫度小于450℃。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中施加到電極以形成所述第二活性物質(zhì)的功率為約400W至約1500W。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中重復(fù)形成第一活性物質(zhì)和進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)沉積循環(huán)的步驟直至所述表面上的凹部被所述沉積材料填充。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述凹部?jī)?nèi)的所述沉積材料是無(wú)縫的。