[發(fā)明專利]硅蝕刻液以及使用該蝕刻液的硅器件的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010080739.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111518562A | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 清家吉貴;東野誠(chéng)司;小林健司;根來世 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社德山;株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | C09K13/00 | 分類號(hào): | C09K13/00;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;樸秀玉 |
| 地址: | 日本山口*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蝕刻 以及 使用 器件 制造 方法 | ||
1.一種硅蝕刻液,是包含四烷基氫氧化銨、水的混合液,
所述硅蝕刻液包含下述式(1)所示的化合物,
R1O-(CmH2mO)n-R2 (1)
式中,R1為氫原子或碳原子數(shù)1~3的烷基,R2為氫原子或碳原子數(shù)1~6的烷基,m為整數(shù)2~6,n為1或2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅蝕刻液,其中,
四烷基氫氧化銨的濃度為0.1~25質(zhì)量%,式(1)所示的化合物的濃度為0.1~20質(zhì)量%。
3.一種硅器件的制造方法,其包括對(duì)硅片、多晶硅膜、非晶硅膜進(jìn)行蝕刻的工序,其中,使用權(quán)利要求1或2所述的硅蝕刻液來進(jìn)行蝕刻。
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