[發(fā)明專利]電容器結構的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010080565.0
• 申請日: 2020-02-05
• 公開（公告）號: CN113224237B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 張維峻;黃漢民;張幼弟;談文毅
• 申請（專利權）人: 聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電容器結構的制作方法，包括：

在基底上形成第一電容器，其中該第一電容器包括：

第一導電層的第一導電圖案；

該第一導電層的第二導電圖案；以及

第一介電層，在一水平方向上設置于該第一導電圖案與該第二導電圖案之間；

在形成該第一電容器之前，在該基底上形成第二電容器，其中該第二電容器包括：

第二導電層的第三導電圖案；

該第二導電層的第四導電圖案；以及

第二介電層，在該水平方向上設置于該第三導電圖案與該第四導電圖案之間；

對該第二導電層的厚度進行監(jiān)測；以及

依據(jù)該第二導電層的一厚度監(jiān)測結果控制該第一導電層的厚度目標值，其中控制該第一導電層的該厚度目標值的方法包括：

當該第二導電層的該厚度監(jiān)測結果超出一預設范圍時，調(diào)整該第一導電層的該厚度目標值；以及

當該第二導電層的該厚度監(jiān)測結果位于該預設范圍之內(nèi)時，不改變該第一導電層的該厚度目標值，

其中該第一電容器為堆疊于該基底上的多個電容器單元中的第n個電容器單元，該第一導電層為堆疊于該基底上的多個金屬層中的第n層金屬層，且該第n層金屬層的一厚度目標值以下列方程式計算：

其中T_3n代表該第n層金屬層的該厚度目標值，X_k代表該多個金屬層中的第k層金屬層的片電阻對比該多個電容器單元中的第k個電容器單元的電容值的系數(shù)，X_n代表該第n層金屬層的片電阻對比該第n個電容器單元的電容值的系數(shù)，T_2k代表該第k層金屬層的一厚度監(jiān)測結果，C_2k代表該第k層金屬層的一關鍵尺寸監(jiān)測結果，C_2n代表該第n層金屬層的一關鍵尺寸監(jiān)測結果，RS_n代表該多個金屬層中的第一層金屬層至該第n層金屬層的一片電阻設計值，k為正整數(shù)，且n為大于1的正整數(shù)。

2.如權利要求1所述的電容器結構的制作方法，其中該第一電容器與該第二電容器分別包括金屬-氧化物-金屬電容器。

3.如權利要求1所述的電容器結構的制作方法，其中該多個金屬層中的該第一層金屬層至該第n層金屬層的該片電阻設計值以下列方程式計算：

其中T_1k代表該第k層金屬層的一厚度設計值，且C_1k代表該第k層金屬層的一關鍵尺寸設計值。

4.如權利要求1所述的電容器結構的制作方法，其中各該電容器單元包括金屬-氧化物-金屬電容器單元。

5.如權利要求1所述的電容器結構的制作方法，其中該多個電容器單元彼此電連接。

6.如權利要求1所述的電容器結構的制作方法，其中該多個電容器單元以并聯(lián)方式彼此電連接。

7.如權利要求1所述的電容器結構的制作方法，其中形成該第一導電層的方法包括：

在該第一介電層中形成多個溝槽；

在該第一介電層上以及該多個溝槽中形成一導電材料；以及

對該導電材料進行平坦化制作工藝，用以移除位于該多個溝槽之外的該導電材料。

8.如權利要求7所述的電容器結構的制作方法，其中當該第二導電層的該厚度監(jiān)測結果超出該預設范圍時，該平坦化制作工藝是依據(jù)經(jīng)調(diào)整后的該第一導電層的該厚度目標值進行。

9.如權利要求7所述的電容器結構的制作方法，其中當該第二導電層的該厚度監(jiān)測結果位于該預設范圍之內(nèi)時，該平坦化制作工藝是依據(jù)未改變的該第一導電層的該厚度目標值進行。

10.如權利要求1所述的電容器結構的制作方法，其中該水平方向平行于該基底的表面。