[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電性薄膜在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010075012.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111508640A | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梶原大輔;藤野望 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01B5/14 | 分類號(hào): | H01B5/14;H01B1/08 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明 導(dǎo)電性 薄膜 | ||
提供能以低溫且短時(shí)間結(jié)晶轉(zhuǎn)化的透明導(dǎo)電性薄膜。透明導(dǎo)電性薄膜(1)具備:透明基材(2)和非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(5),透明基材(2)含有環(huán)烯烴系樹脂,非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(5)能轉(zhuǎn)化為結(jié)晶質(zhì),非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(2)的霍爾遷移率為20.0(cm2/V·s)以上且31.0(cm2/V·s)以下,將非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(5)的載流子密度設(shè)為Xa×1019(/cm3)、霍爾遷移率設(shè)為Ya(cm2/V·s)、將結(jié)晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(6)的載流子密度設(shè)為Xc×1019(/cm3)、霍爾遷移率設(shè)為Yc(cm2/V·s)、移動(dòng)距離設(shè)為{(Xc?Xa)2+(Yc?Ya)2}1/2時(shí),移動(dòng)距離不足50.0。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電性薄膜,詳細(xì)而言涉及適合用于光學(xué)用途的透明導(dǎo)電性薄膜。
背景技術(shù)
以往以來,具備由銦錫復(fù)合氧化物形成的透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜被用于圖像顯示裝置內(nèi)的觸摸面板用基材等。
例如,專利文獻(xiàn)1中公開了一種透明導(dǎo)電性薄膜,其具備:高分子薄膜、和由銦-錫復(fù)合氧化物形成的非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層。對(duì)于專利文獻(xiàn)1的透明導(dǎo)電性薄膜,作為高分子薄膜基材,使用了耐熱性及機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。而且,通過150℃、60分鐘的高溫處理,將非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層結(jié)晶轉(zhuǎn)化從而提高透明導(dǎo)電性薄膜的導(dǎo)電性。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2017-71850號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
另外,近年來,由于透明性高、雙折射率低,因此透明基材使用了聚環(huán)烯烴(COP)薄膜的透明導(dǎo)電性薄膜的要求正在提高。
但是,COP薄膜與PET薄膜相比,耐熱性低、并且容易熱膨脹。因此,若在150℃的高溫下實(shí)施60分鐘的長時(shí)間的加熱處理,則有時(shí)COP薄膜會(huì)產(chǎn)生熔解等熱損傷、或因COP薄膜的熱膨脹而在配置于其上側(cè)的ITO產(chǎn)生裂紋。因此,使非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層結(jié)晶轉(zhuǎn)化時(shí),要求以盡可能低溫且短時(shí)間進(jìn)行加熱處理。
本發(fā)明提供能以低溫且短時(shí)間結(jié)晶轉(zhuǎn)化的透明導(dǎo)電性薄膜。
本發(fā)明[1]包含一種透明導(dǎo)電性薄膜,其具備:透明基材、和配置于透明基材的厚度方向一側(cè)的非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層,前述透明基材含有環(huán)烯烴系樹脂,前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層能轉(zhuǎn)化為結(jié)晶質(zhì),前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層的霍爾遷移率為20.0(cm2/V·s)以上且31.0(cm2/V·s)以下,將前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層的載流子密度設(shè)為Xa×1019(/cm3)、霍爾遷移率設(shè)為Ya(cm2/V·s)、將前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層結(jié)晶轉(zhuǎn)化后的結(jié)晶質(zhì)透明導(dǎo)電層的載流子密度設(shè)為Xc×1019(/cm3)、霍爾遷移率設(shè)為Yc(cm2/V·s)、移動(dòng)距離設(shè)為{(Xc-Xa)2+(Yc-Ya)2}1/2時(shí),前述移動(dòng)距離不足50.0。
本發(fā)明[2]包含[1]所述的透明導(dǎo)電性薄膜,其中,前述結(jié)晶質(zhì)透明導(dǎo)電層的載流子密度為30.0×1019(/cm3)以上且100.0×1019(/cm3)以下。
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說明:
1、專利原文基于中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說明書;
2、支持發(fā)明專利 、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計(jì)專利(升級(jí)中);
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