[發(fā)明專利]鐵氧體組合物和層疊電子部件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010074082.X | 申請日: | 2020-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN111484323B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 芝山武志;鈴木孝志;高橋幸雄 | 申請(專利權(quán))人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | C04B35/26 | 分類號: | C04B35/26;H01F27/255 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;謝弘 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鐵氧體 組合 層疊 電子 部件 | ||
本發(fā)明得到特別是直流疊加特性和交流電阻良好的鐵氧體組合物等。該鐵氧體組合物包含由尖晶石鐵氧體構(gòu)成的主相顆粒、第一副相顆粒、第二副相顆粒和粒界。主相顆粒的至少一部分具有50nm以上的Zn濃度在從顆粒表面朝向顆粒中心部的方向上單調(diào)減少的部分。具有50nm以上的Zn濃度在從顆粒表面朝向顆粒中心部的方向上單調(diào)減少的部分的主相顆粒存在10%以上。第一副相顆粒含有Zn2SiO4。第二副相顆粒含有SiO2。第一副相顆粒與第二副相顆粒的合計面積比例為30.5%以上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及鐵氧體組合物和層疊電子部件。
背景技術(shù)
近年來,為了提高通信距離和敏感度,在ICT設(shè)備的NFC電路中流通的交流電流大電流化。而且,要求與大電流對應(yīng)的噪聲除去產(chǎn)品。
作為噪聲除去產(chǎn)品,可以列舉繞組類型的鐵氧體電感器、層疊類型的鐵氧體電感器等,在上述的大電流的使用環(huán)境中,考慮噪聲除去特性的程度,使用了繞組類型的鐵氧體電感器。但是,要求即使是層疊類型的鐵氧體電感器也具有與繞組類型的鐵氧體電感器同等以上的噪聲除去特性。
在專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中,記載了通過控制組成而具有優(yōu)異特性的鐵氧體組合物和層疊電子部件。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特許第5582279號公報
專利文獻(xiàn)2:日本特開2013-060332號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
但是,目前要求具有更優(yōu)異的特性的鐵氧體組合物和層疊電子部件。
本發(fā)明是鑒于這樣的實際情況而作出的,其目的在于得到改善了直流疊加特性和交流電阻的鐵氧體組合物等。
用于解決課題的方法
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的第一方面的鐵氧體組合物包含由尖晶石鐵氧體構(gòu)成的主相顆粒、第一副相顆粒、第二副相顆粒和粒界,
上述主相顆粒的至少一部分具有50nm以上的Zn濃度在從顆粒表面朝向顆粒中心部的方向上單調(diào)減少的部分,
上述50nm以上的Zn濃度在從顆粒表面朝向顆粒中心部的方向上單調(diào)減少的部分的主相顆粒存在10%以上,
上述第一副相顆粒含有Zn2SiO4,
上述第二副相顆粒含有SiO2,
上述第一副相顆粒與上述第二副相顆粒的合計面積比例為30.5%以上。
將上述具有50nm以上的Zn濃度在從顆粒表面朝向顆粒中心部的方向上單調(diào)減少的部分的主相顆粒的內(nèi)部中Zn的濃度的最小值設(shè)為A1、將Zn的濃度的最大值設(shè)為A2,A2/A1的平均值可以為1.10以上。
本發(fā)明的第二方面的鐵氧體組合物包含由尖晶石鐵氧體構(gòu)成的主相顆粒、第一副相顆粒、第二副相顆粒和粒界,
上述主相顆粒的至少一部分由芯部和殼部構(gòu)成,上述殼部中的Zn的濃度比上述芯部中的Zn的濃度高,
由芯部和殼部構(gòu)成的主相顆粒存在10%以上,
上述第一副相顆粒含有Zn2SiO4,
上述第二副相顆粒含有SiO2,
上述第一副相顆粒與上述第二副相顆粒的合計面積比例為30.5%以上。
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