[發明專利]一種過壓保護電路及主板的電源輸入電路在審
| 申請號: | 202010072587.2 | 申請日: | 2020-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN111193252A | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 汪濤 | 申請(專利權)人: | 深圳市英德斯電子有限公司 |
| 主分類號: | H02H11/00 | 分類號: | H02H11/00 |
| 代理公司: | 深圳市海盛達知識產權代理事務所(普通合伙) 44540 | 代理人: | 趙雪佳 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田區華強北街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 保護 電路 主板 電源 輸入 | ||
1.一種過壓保護電路,其特征在于:其包括穩壓芯片Q43和運算放大器U90,
所述穩壓芯片Q43的控制極通過電阻與外部供電端VIN_L連接,所述穩壓芯片Q43的正極接地,所述穩壓芯片Q43的負極與穩壓芯片Q43的控制極連接,所述穩壓芯片Q43的控制極為2.5V電源端;
所述運算放大器U90的同向輸入端通過電阻R362與外部供電端VIN_L連接,所述運算放大器U90的反向輸入端與2.5V電源端連接,所述運算放大器Q43的同向輸入端通過電阻R363接地,所述運算放大器U90的輸出端與主板的電源輸入電路連接,所述運算放大器U90的正電源端通過電阻R500與外部供電端VIN_L連接,所述運算放大器U90的負電源端接地。
2.根據權利要求1所述的過壓保護電路,其特征在于:所述穩壓芯片Q43的控制極通過電阻R361、電阻R312和電阻R495的并聯電路與外部供電端VIN_L連接,所述穩壓芯片Q43的控制極通過電容C339接地。
3.根據權利要求2所述的過壓保護電路,其特征在于:所述穩壓芯片Q43的型號為LM431。
4.根據權利要求3所述的過壓保護電路,其特征在于:所述運算放大器U90為LM321標準運算放大器。
5.一種主板的電源輸入電路,其特征在于:其與如權利要求1~4任意一項所述的過壓保護電路連接;
所述主板的電源輸入電路包括MOSFET管PQ62、肖特基二極管PD3、MOSFET管Q58,外部供電端VIN_L端分別與肖特基二極管PD3的3腳、電阻PR185的一端、電阻PR183的一端連接,所述肖特基二極管PD3的2腳和1腳與電阻PR185的另一端、電阻PR191的一端連接,所述電阻PR183的另一端與電阻PR191的另一端連接;
所述電阻PR185的另一端與MOSFET管Q58的G1端、D2端連接,所述MOSFET管Q58的S1端、S2端接地,MOSFET管Q58的G2端通過電阻R505與運算放大器U90的輸出端連接,電阻R505通過電阻R504接地;MOSFET管Q58的D1端與電阻PR184的一端連接,電阻PR184的另一端與電阻PR194的一端、電容C994的一端、MOSFET管PQ62的G端連接,電阻PR194的另一端、電容C994的另一端與MOSFET管PQ62的S端連接,MOSFET管PQ62的D端連接與磁珠FB5和磁珠FB6的并聯電路的一端連接,磁珠FB5和磁珠FB6的并聯電路的另一端與主板的電源輸入端連接,MOSFET管PQ62的D端還分別通過電容PC176、電容PC174接地。
6.根據權利要求5所述的主板的電源輸入電路,其特征在于:所述MOSFET管PQ62的型號為NTMS4176R2G;所述肖特基二極管PD3的型號為BAT54RC;所述MOSFET管Q58的型號為L2N7002DWITIG。
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