[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓的處理方法和晶圓的處理系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010071963.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111243944A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 夏余平;顧立勛;徐融;任德?tīng)I(yíng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)東*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種晶圓的處理方法,其特征在于,包括:
對(duì)晶圓進(jìn)行濕法處理;
向所述晶圓所在的空間中通入惰性氣體,以防止所述晶圓上的水與所述空間內(nèi)的氣體接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在對(duì)晶圓進(jìn)行濕法處理之后,所述方法還包括:
對(duì)所述晶圓進(jìn)行加熱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在向所述晶圓所在的空間中通入惰性氣體之后,所述方法還包括:
對(duì)所述晶圓進(jìn)行加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法,其特征在于,采用紅外光對(duì)所述晶圓進(jìn)行加熱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述惰性氣體包括氮?dú)狻?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在對(duì)所述晶圓進(jìn)行濕法處理之前,所述方法還包括:
向所述晶圓所在的空間中通入空氣。
7.一種晶圓的處理系統(tǒng),其特征在于,所述處理系統(tǒng)包括:
惰性氣體存儲(chǔ)設(shè)備,用于存儲(chǔ)惰性氣體;
送風(fēng)裝置,與所述惰性氣體存儲(chǔ)設(shè)備可切斷地連通,所述送風(fēng)裝置用于向晶圓所在的空間中通入所述惰性氣體,以防止所述晶圓上的水與所述空間內(nèi)的氣體接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng),其特征在于,所述處理系統(tǒng)還包括:
加熱裝置,用于對(duì)所述晶圓進(jìn)行加熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其特征在于,所述處理系統(tǒng)還包括:
載具,所述載具用于承載所述晶圓,所述加熱裝置設(shè)置在所述載具的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其特征在于,所述加熱裝置為紅外加熱裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng),其特征在于,所述送風(fēng)裝置包括出風(fēng)口,所述惰性氣體存儲(chǔ)設(shè)備與所述出風(fēng)口可切斷地連通,所述系統(tǒng)還包括:
空氣存儲(chǔ)設(shè)備,用于存儲(chǔ)空氣,所述空氣存儲(chǔ)設(shè)備與所述出風(fēng)口可切斷地連通。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng),其特征在于,所述處理系統(tǒng)還包括第一控制閥和第二控制閥,所述第一控制閥設(shè)置在所述出風(fēng)口和所述惰性氣體存儲(chǔ)設(shè)備之間的管路上,所述第二控制閥設(shè)置在所述出風(fēng)口和所述空氣存儲(chǔ)設(shè)備之間的管路上。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng),其特征在于,所述送風(fēng)裝置為送風(fēng)過(guò)濾裝置。
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H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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