[發明專利]高密度封裝引線框架結構

在審

• 申請號: 202010069586.2
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111128945A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 吳勇軍;張春輝
• 申請（專利權）人: 吳勇軍
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 黃麗莉

1.一種高密度封裝引線框架結構，其特征在于，包括依次層疊設置的底部框架、至少一個引線框架和多個用于安裝芯片且具有導電性的焊盤或凸起；每個引線框架包括自所述底部框架的頂面依次層疊設置的緩沖層和RDL線路層，所述焊盤或凸起設置于最遠離所述底部框架的引線框架的RDL線路層上表面；所述緩沖層為低CTE值絕緣材料層，所述RDL線路層通過導通結構連接于所述底部框架的表面。

2.根據權利要求1所述的高密度封裝引線框架結構，其特征在于，所述緩沖層的材質為低CTE值陶瓷類環氧樹脂或二氧化硅類樹脂。

3.根據權利要求1所述的高密度封裝引線框架結構，其特征在于，所述導通結構包括填充銅漿導通孔、填充導熱絕緣材料的導通孔或銅柱。

4.根據權利要求1所述的高密度封裝引線框架結構，其特征在于，與所述底部框架距離最近的緩沖層為非連續結構，所述底部框架在框架內部形成臺階。

5.根據權利要求1所述的高密度封裝引線框架結構，其特征在于，所述底部框架遠離所述緩沖層表面設置有焊盤層，用于連接所述底部框架和基板。

6.根據權利要求5所述的高密度封裝引線框架結構，其特征在于，所述焊盤層的表面涂覆有鎳金層、鎳鈀金層、OSP層、銀層、鎳銀金層、鎳鉛錫合金或錫銀合金。

7.根據權利要求1所述的高密度封裝引線框架結構，其特征在于，所述底部框架為金屬銅框架、FR4材質線路板或BT類基板。

8.根據權利要求1所述的高密度封裝引線框架結構，其特征在于，所述至少一個引線框架還包括導氣槽，所述導氣槽形成的氣流通道連通所述底部框架和安裝的芯片。

9.一種高密度封裝結構，其特征在于，包括依次設置的基板、權利要求1-8任意一項所述的高密度封裝引線框架結構、芯片；所述芯片通過所述高密度封裝引線框架結構連接于所述基板上，且通過所述焊盤或凸起實現電性連接。

10.根據權利要求9所述的高密度封裝結構，其特征在于，所述基板為陶瓷類環氧樹脂或二氧化硅類樹脂，或二氧化硅類PI。