[發明專利]一種平板探測器的驅動電路以及時序驅動方法有效
| 申請號: | 202010068031.6 | 申請日: | 2020-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN110933335B | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發明(設計)人: | 陳鋼 | 申請(專利權)人: | 南京迪鈦飛光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H04N5/32 | 分類號: | H04N5/32;H04N5/14;H01L27/146 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平板 探測器 驅動 電路 以及 時序 方法 | ||
1.一種平板探測器的驅動電路,其包括放大電路和輸出信號至數據線的第一TFT開關;其特征在于:所述放大電路包括與反偏電壓連接的第二TFT開關、光電二極管、第三TFT開關以及與工作電壓連接的第四TFT開關;
其中,所述第二TFT開關的控制端連接電源電壓,第二TFT開關的第一通路端與反偏電壓連接,第二TFT開關的第二通路端與光電二極管的負極連接;
光電二極管的正極分別與第三TFT開關的第一通路端和第四TFT開關的控制端連接;
第三TFT開關的控制端與重置信號電壓連接,第三TFT開關的第二通路端接入參考電壓;
第四TFT開關的第一通路端與工作電壓連接,第四TFT開關的第二通路端與第一TFT開關的第一通路端連接;以及
第一TFT開關的控制端接入啟動信號,第一TFT開關的第二通路端輸出信號給數據線;還包括與所述放大電路部分重疊的記憶補償電路,所述記憶補償電路檢測第四TFT開關的閾值電壓并儲存所述閾值電壓,所述記憶補償電路也與第一TFT開關連接;
所述記憶補償電路包括第三TFT開關、第四TFT開關、自舉電容和第五TFT開關,第三TFT開關和第四TFT開關為所述放大電路和記憶補償電路重疊的部分;
第三TFT開關和第四TFT開關之間設有第一節點;記憶補償電路在第四TFT開關和第一TFT開關之間設有第二節點,第二節點也位于記憶補償電路和第一TFT開關之間;自舉電容的一端連接第一節點,自舉電容的另一端連接第二節點;第五TFT開關的控制端與補償信號電壓連接,第五TFT開關的第一通路端與第二節點連接,第五TFT開關的第二通路端接入參考電壓。
2.根據權利要求1所述的平板探測器的驅動電路,其特征在于:所述第一TFT開關、第二TFT開關、第三TFT開關、第四TFT開關和第五TFT開關均為金屬氧化物TFT開關。
3.一種平板探測器的時序驅動方法,其特征在于:包括如下步驟:
S1:啟動后,反偏電壓在連續N個時序內輸入高電位,電源電壓在連續2個時序內為低電平,啟動信號在連續3個時序內為低電平,重置信號電壓在1個時序內輸入高電平且打開第三TFT開關,輸入至第三TFT開關的第二通路端的參考電壓經第三TFT開關的第一通路端至第一節點,第一節點處為參考電壓,其中N≥10;
S2:重置信號電壓降至低電平時,第三TFT開關關閉,記憶補償電路開始工作,記憶補償電路檢測出第四TFT開關的閾值電壓為參考電壓并將閾值電壓儲存在自舉電容內,直至第二節點的電壓變為參考電壓減去閾值電壓;
S3:當工作電壓下降至低電平時,補償信號電壓上升至高電平,第五TFT開關打開,參考電壓經第五TFT開關輸入至第二節點,第二節點處的電壓變為參考電壓,第一節點處的電壓變為參考電壓加閾值電壓,完成記憶補償動作;
S4:補償信號電壓下降至低電平時,電源電壓上升至高電平,第二TFT開關打開,第二TFT開關驅動光電二極管工作,光電二極管將采集到的光信號轉換成電信號;
S5:光電二極管轉換完成后,補償信號電壓關閉,維持第一節點處的電壓為參考電壓、閾值電壓和數據線電壓之和,此時啟動信號通過數據線啟動柵極進行逐行打開,讀出每一個像素中的電信號。
4.根據權利要求3所述的平板探測器的時序驅動方法,其特征在于:步驟S2中,重置信號電壓在接下來的N個時序內均降至低電平,工作電壓連續2個時序為低電平。
5.根據權利要求3所述的平板探測器的時序驅動方法,其特征在于:步驟S4中,補償信號電壓在接下來的N個時序內下降至低電平時,每一行像素的電源電壓按照整體時序所設定的光線照射時長維持相應的高電壓。
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