[發(fā)明專利]支撐架、真空干燥裝置、干燥系統(tǒng)、基板干燥方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010066591.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111261573A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張浩;熊黎;唐成;楊金珂;孫澤斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687;H01L21/67;G03F7/40;G03F7/38 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支撐架 真空 干燥 裝置 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種支撐架,其特征在于,包括:
支撐座;
多個(gè)支撐桿;所述多個(gè)支撐桿中每個(gè)支撐桿沿第一方向延伸,所述多個(gè)支撐桿沿第二方向間隔且平行設(shè)置,并固定于所述支撐座上,所述第一方向和所述第二方向垂直;所述多個(gè)支撐桿包括一個(gè)第一支撐桿和兩個(gè)第二支撐桿,所述第二支撐桿位于所述多個(gè)支撐桿的最外側(cè),所述第一支撐桿與兩個(gè)所述第二支撐桿的間距相等;所述第一支撐桿上設(shè)有多個(gè)第一支撐針,每個(gè)所述第二支撐桿上設(shè)有多個(gè)第二支撐針;
其中,所述多個(gè)第一支撐針和所述多個(gè)第二支撐針的高度方向?yàn)榇怪彼鲋巫O(shè)置所述支撐桿的表面的方向,且所述多個(gè)第一支撐針和所述多個(gè)第二支撐針用于對(duì)基板進(jìn)行支撐,該基板包括多個(gè)結(jié)構(gòu)相同的子基板;所述第一支撐桿上多個(gè)所述第一支撐針與所述第二支撐桿上多個(gè)所述第二支撐針之間的區(qū)域,用于使該基板中的多個(gè)子基板位于該區(qū)域內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐架,其特征在于,所述第一支撐桿上沿所述第一方向設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的第一固定槽,且所述第一支撐桿上的所述第一固定槽的個(gè)數(shù)大于所述第一支撐桿上第一支撐針的個(gè)數(shù),所述多個(gè)第一支撐針中的每一個(gè)分別固定于一個(gè)所述第一固定槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的支撐架,其特征在于,所述第一支撐桿上的多個(gè)所述第一固定槽等間距排布,且任意相鄰兩個(gè)所述第一固定槽的間距為0.5~2cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的支撐架,其特征在于,所述第一固定槽內(nèi)設(shè)置有第一鐵塊,所述第一支撐針靠近所述支撐座的底部嵌設(shè)有第一磁塊,所述第一支撐針的底部與所述第一鐵塊遠(yuǎn)離所述支撐座的表面接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐架,其特征在于,所述第一支撐桿上設(shè)置有凹槽,所述凹槽沿所述第一方向延伸;
所述第一支撐針的部分位于所述凹槽內(nèi);
在靠近每個(gè)所述第一支撐針的位置處對(duì)應(yīng)設(shè)置有一個(gè)固定件,所述固定件用于對(duì)所述第一支撐針進(jìn)行固定,使所述第一支撐針垂直所述第一支撐桿。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的支撐架,其特征在于,所述固定件包括方卡子;
所述方卡子包括兩個(gè)塊狀的夾持塊,兩個(gè)所述夾持塊相互靠近的側(cè)面上分別設(shè)置有半圓柱狀開(kāi)口,形成沿所述第一支撐針高度方向延伸,且用于容置所述第一支撐針的容置孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐架,其特征在于,所述第二支撐桿上沿所述第一方向設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的第二固定槽,且所述第二支撐桿上的所述第二固定槽與所述第二支撐桿上所述第二支撐針的個(gè)數(shù)相同,所述第二支撐針與所述第二固定槽的位置一一對(duì)應(yīng);
所述第二固定槽內(nèi)設(shè)置有第二鐵塊,所述第二支撐針靠近所述支撐座的底部嵌設(shè)有第二磁塊,所述第二支撐針的底部與所述第二鐵塊遠(yuǎn)離所述支撐座的表面接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的支撐架,其特征在于,多個(gè)所述支撐桿還包括多個(gè)第三支撐桿,多個(gè)所述第三支撐桿分設(shè)于所述第一支撐桿兩側(cè);
所述第三支撐桿上設(shè)置有兩個(gè)所述第二支撐針、至少一個(gè)所述第一支撐針以及多個(gè)第三支撐針;所述第三支撐桿上的兩個(gè)所述第二支撐針位于所述第三支撐桿的兩端;所述第三支撐桿上的一個(gè)所述第一支撐針位于所述第三支撐桿的中間位置;相對(duì)所述支撐座設(shè)置所述支撐桿的表面,所述第三支撐針遠(yuǎn)離該表面一端的高度低于所述第一支撐針和所述第二支撐針遠(yuǎn)離該表面的一端的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的支撐架,其特征在于,所述第三支撐桿上沿所述第一方向設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的第三固定槽,每個(gè)所述第一支撐針、每個(gè)所述第二支撐針和每個(gè)所述第三支撐針均位于一個(gè)所述第三固定槽內(nèi);
所述第三支撐針包括螺桿,與所述第三支撐針對(duì)應(yīng)的所述第三固定槽內(nèi)壁上具有與所述螺桿匹配的螺紋。
10.一種真空干燥裝置,其特征在于,包括:第一腔室,所述第一腔室內(nèi)設(shè)置有用于支撐基板的支撐架,所述支撐架為如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的支撐架;
所述第一腔室聯(lián)通有抽真空管和進(jìn)氣管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





