[發明專利]限制結構、線源裝置及蒸鍍系統

在審

• 申請號: 202010064989.8
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN111155057A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 鐘紀奇
• 申請（專利權）人: 綿陽京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本公開提供一種限制結構、線源裝置及蒸鍍系統，涉及蒸鍍技術領域。該限制結構包括蒸鍍源、兩個限制板、吸附孔和吸附組件，其中：蒸鍍源固定于一安裝面上，用于噴射蒸鍍材料；兩個限制板均固定于安裝面上，并相對設置于蒸鍍源的兩側，且兩個限制板均具有腔體；吸附孔設于限制板靠近蒸鍍源的表面，且與腔體連通；吸附組件與腔體連通，用于通過吸附孔吸附限制板靠近蒸鍍源的表面累積的蒸鍍材料。本公開的限制結構、線源裝置及蒸鍍系統可保證產品蒸鍍質量，避免限制板因材料累積而脫落，延長限制板的使用壽命。

技術領域

本公開涉及蒸鍍技術領域，具體而言，涉及一種限制結構、線源裝置及蒸鍍系統。

背景技術

真空蒸鍍是一種常用的薄膜成型技術，由于其具有成膜方法簡單、薄膜純度高及致密性高等優點，被廣泛用于制造金屬或半導體等材料的薄膜。

現有蒸鍍設備主要包括蒸發源及限制板，在蒸鍍過程中，由蒸發源噴射蒸鍍材料，并將限制板設于蒸發源噴射部上端，從而通過限制板控制蒸發源的蒸鍍入射角。但是，隨著蒸鍍時間的增長，限制板端部及內側會出現蒸鍍材料累積，使得蒸鍍角縮小、限制板負荷增加，進而影響產品蒸鍍效果，增加限制板脫落風險，縮短限制板使用壽命。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于克服上述現有技術中的不足，提供一種限制結構、線源裝置及蒸鍍系統，可保證產品蒸鍍質量，避免限制板因材料累積而脫落，延長限制板的使用壽命。

根據本公開的一個方面，提供一種限制結構，包括：

蒸鍍源，固定于一安裝面上，用于噴射蒸鍍材料；

兩個限制板，均固定于所述安裝面上，并相對設置于所述蒸鍍源的兩側，且兩個所述限制板均具有腔體；

吸附孔，設于所述限制板靠近所述蒸鍍源的表面，且與所述腔體連通；

吸附組件，與所述腔體連通，用于通過所述吸附孔吸附所述限制板靠近所述蒸鍍源的表面累積的蒸鍍材料。

在本公開的一種示例性實施例中，所述限制板包括：

支撐部，固定于所述安裝面上，并向遠離所述安裝面的一側延伸；

限制部，一端連接于所述支撐部遠離所述安裝面的一端，另一端按照預設角度向靠近所述蒸鍍源的一側延伸；

兩個限制板對應的兩個所述限制部之間具有露出所述蒸鍍源的開口。

在本公開的一種示例性實施例中，所述吸附孔的數量為多個，且各所述吸附孔按照預設間距均勻分布于所述限制板靠近所述蒸鍍源的表面。

在本公開的一種示例性實施例中，所述支撐部和所述限制部為一體式結構，所述腔體貫通于所述支撐部和所述限制部。

在本公開的一種示例性實施例中，通過兩個所述限制部之間的開口限定所述蒸鍍源的蒸鍍角，所述蒸鍍角為45°。

根據本公開的一個方面，提供一種線源裝置，包括：

上述任意一項所述的限制結構；以及

坩堝機構，設于所述安裝面遠離所述蒸鍍源的一側，用于向所述蒸鍍源提供蒸鍍材料。

在本公開的一種示例性實施例中，所述線源裝置包括多個所述坩堝機構及多個所述限制結構，且各所述坩堝機構與各所述限制結構一一對應設置。

在本公開的一種示例性實施例中，所述線源裝置包括一一對應設置的兩個所述限制結構及兩個所述坩堝機構，且一所述坩堝機構用于向與其對應的限制結構的蒸鍍源提供蒸鍍主體材料，另一所述坩堝機構用于向與其對應的限制結構的蒸鍍源提供蒸鍍客體材料。