[發明專利]用于處理基底的方法

在審

• 申請號: 202010063244.X
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN111508827A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 久松亨;本田昌伸;木原嘉英
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;熊劍

1.一種用于在等離子體腔中處理基底的方法，包括：

提供步驟，提供基底，所述基底上形成將被蝕刻的下層和掩模；

形成步驟，在所述掩模上形成保護膜；以及

執行步驟，執行各向異性沉積以在所述掩模的頂部選擇性地形成沉積層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述形成步驟通過以下方式形成含硅的所述保護膜：向所述等離子體腔的上電極施加直流電來引起布置在所述基底之上的靶的濺射，或者執行原子層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)中的至少之一。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述形成步驟形成具有至少一個原子層厚度的保護膜。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述提供步驟提供所述基底，所述基底上形成有機材料的所述掩模；以及

所述形成步驟形成無機材料或金屬的所述保護膜。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述提供步驟提供所述基底，所述基底上形成含金屬的所述掩模。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述提供步驟提供所述基底，所述基底上形成含鎢(W)或鈦(Ti)的所述掩模。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述執行步驟通過用等離子體使所述基底暴露來執行所述各向異性沉積，所述等離子體產生于含有N₂、O₂、H₂和F中的至少之一與C_xH_y的工藝氣體。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述各向異性沉積之后，通過隨后用產生于第一氣體的等離子體和產生于第二氣體的等離子體使所述基底暴露來調整所述基底上的圖案的尺寸，所述第一氣體引起沉積，所述第二氣體引起濺射和蝕刻中的至少之一。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，

所述第一氣體含有Si、C_xH_yF_z以及N₂或O₂，并且所述第二氣體含有He、Ne、Ar、Kr、Xe和N₂中的至少之一。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，

所述第一氣體含有Si、C_xH_yF_z以及N₂或O₂，并且所述第二氣體含有C_xF_yH_z。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述各向異性沉積之后，從所述掩模之上蝕刻所述下層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，

所述各向異性沉積和所述蝕刻在相同的等離子體腔或相同的系統中執行。

13.一種用于在等離子體腔中處理基底的方法，包括：

提供基底，所述基底上形成將被蝕刻的下層和掩模；

用等離子體使所述基底暴露，所述等離子體產生于以預定比率含有N₂、O₂、H₂和F中的至少之一與C_xH_yF_z的工藝氣體，其中，(i)x是不小于1的自然數，y是不小于1的自然數，并且z是零或不小于1的自然數，或者(ii)x是不小于1的自然數，y是零或不小于1的自然數，并且z是不小于1的自然數。