[發明專利]半導體設備恢復方法

有效

• 申請號: 202010061707.9
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111261555B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 國唯唯
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種半導體設備恢復方法，其特征在于，包括：

清潔步驟，向反應腔室內通入第一工藝氣體，將所述第一工藝氣體激發成等離子體，以清除所述反應腔室的內壁及介質窗上的殘留副產物；其中，所述第一工藝氣體包括氧氣，所述氧氣能夠與所述反應腔室內壁及介質窗上殘留的含C、H的聚合物進行反應，產生易揮發的產物；

恢復步驟，向所述反應腔室內通入第二工藝氣體，將所述第二工藝氣體激發成等離子體；所述第二工藝氣體用于對所述反應腔室內的涂有光膠掩膜的基片進行刻蝕，所述第二工藝氣體與所述基片表面的所述光膠掩膜反應，產生的光膠聚合物在所述反應腔室的內壁及所述介質窗上形成光膠附著層，以利用所述光膠附著層的黏附性吸附后續刻蝕所產生的副產物；

所述方法還包括再恢復步驟，所述再恢復步驟包括：

向所述反應腔室內通入第二工藝氣體，將所述第二工藝氣體激發成等離子體，所述第二工藝氣體用于對腔室內的涂有光膠掩膜的基片進行刻蝕；

所述再恢復步驟于完成一次所述清潔步驟和所述恢復步驟之后的一預設工藝時間段之后，連續執行N次，N為1到5的自然數；

所述預設工藝時間段為所述反應腔室連續空閑的時長，所述連續空閑的時長大于或等于半小時。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二工藝氣體包括氯氣或三氯化硼中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述清潔步驟中，所述反應腔室內的壓強的取值范圍為10mT～20mT；

所述氧氣的流量的取值范圍為200sccm-300sccm，用于將所述氧氣激發成等離子體的上電極電源功率的取值范圍為800W-1200W。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述清潔步驟中，所述反應腔室的溫度的取值范圍為0℃～20℃，所述反應腔室內的下電極電源功率取值范圍為0-100W。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述恢復步驟中，所述反應腔室內的壓強的取值范圍為10mT～20mT；

所述第二工藝氣體包括氯氣，所述氯氣的流量的取值范圍為100sccm-300sccm，用于將所述氯氣激發成等離子體的上電極電源功率的取值范圍為400W-600W，所述反應腔室內的下電極電源功率取值范圍為100W-200W。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述恢復步驟中，所述反應腔室的溫度的取值范圍為-20℃～20℃；

所述第二工藝氣體還包括三氯化硼，所述三氯化硼的流量的取值范圍為15sccm-30sccm。

7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述再恢復步驟中，所述反應腔室內的壓強的取值范圍為10mT～20mT；

所述第二工藝氣體包括氯氣，所述氯氣的流量的取值范圍為100sccm-300sccm，用于將所述氯氣激發成等離子體的上電極電源功率的取值范圍為400W-600W，所述反應腔室內的下電極電源功率取值范圍為100W-200W。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述再恢復步驟中，所述反應腔室的溫度的取值范圍為-20℃～20℃；

所述第二工藝氣體還包括三氯化硼，所述三氯化硼的流量的取值范圍為15sccm-30sccm。