[發明專利]使用蝕刻氣體蝕刻半導體結構的方法

在審

• 申請號: 202010060259.0
• 申請日: 2014-09-09
• 公開（公告）號: CN111261512A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: R·古普塔;V·R·帕里姆;V·蘇爾拉;C·安德森;N·斯塔福德
• 申請（專利權）人: 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/768;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/54
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張雙雙;林柏楠

1.一種在基材上沉積抗蝕聚合物層的方法，所述方法包括：

將化合物蒸氣引入包含基材的反應室中，所述化合物具有選自由如下組成的組的式：

C₂F₄S₂(CAS 1717-50-6)，F₃CSH(CAS 1493-15-8)、F₃C-CF₂-SH(CAS 1540-78-9)、F₃C-CH₂-SH(CAS 1544-53-2)、CHF₂-CF₂-SH(812-10-2)、CF₃-CF₂-CH₂-SH(CAS 677-57-6)、F₃C-CH(SH)-CF₃(CAS 1540-06-3)、F₃C-S-CF₃(CAS 371-78-8)、F₃C-S-CHF₂(CAS 371-72-2)、F₃C-CF₂-S-CF₂-CF₃(CAS 155953-22-3)、F₃C-CF₂-CF₂-S-CF₂-CF₂-CF₃(CAS 356-63-8)、c(-S-CF₂-CF₂-CHF-CF₂-)(CAS 1035804-79-5)、c(-S-CF₂-CHF-CHF-CF₂-)(CAS 30835-84-8)、c(-S-CF₂-CF₂-CF₂-CF₂-CF₂-)(CAS 24345-52-6)、c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CFH-)(2R,5R)(CAS1507363-75-8)、c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CFH-)(2R,5S)(CAS 1507363-76-9)和c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CH₂-)(CAS 1507363-77-0)；和

等離子體活化所述化合物以在基材上形成抗蝕聚合物層。

2.根據權利要求1的方法，其中所述化合物為C₂F₄S₂(CAS 1717-50-6)。

3.根據權利要求1的方法，其中所述化合物選自由如下組成的組：F₃CSH(CAS 1493-15-8)、F₃C-CF₂-SH(CAS 1540-78-9)、F₃C-CH₂-SH(CAS 1544-53-2)、CHF₂-CF₂-SH(812-10-2)、CF₃-CF₂-CH₂-SH(CAS 677-57-6)和F₃C-CH(SH)-CF₃(CAS 1540-06-3)。