[發明專利]封裝結構及其成型方法

在審

• 申請號: 202010060016.7
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN113140520A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 林耀劍
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/16;H01L25/07;H01L23/498;H01L21/56
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本發明揭示了一種封裝結構及其成型方法，封裝結構包括基板、芯片、第一塑封層及支撐塊，基板包括相對設置的第一表面及第二表面；芯片位于第一表面；第一塑封層位于第一表面并包封芯片；支撐塊位于第二表面；其中，于基板的厚度方向上，芯片及支撐塊之間具有重疊區域，且芯片的熱膨脹系數與支撐塊的熱膨脹系數相等。本發明的支撐塊的熱膨脹系數與芯片的熱膨脹系數相等，且支撐塊與芯片位于基板的兩側，如此，支撐塊可抵消芯片或芯片間受到的部分應力，以避免出現由于熱收縮不同而導致的諸如翹曲或扭曲的問題，且芯片及支撐塊之間具有重疊區域，可提高支撐塊對芯片受到的應力的抵消作用，即支撐塊可達到平衡翹曲的作用。

技術領域

本發明涉及封裝技術領域，尤其涉及一種封裝結構及其成型方法。

背景技術

扇出型封裝技術是將芯片重新放置于另一個基板之上，然后再進行封裝制程，使得這些被重新放置的芯片間具有較寬的間距，將芯片上的焊墊適當的分配，使用橫向延伸再布線的方式(fan-out，扇出)，實現芯片扇出結構的塑封，最終切割成單顆封裝結構。

扇出型封裝結構使用封膠包覆硅芯片，在溫度循環或極端溫度測試期間，由于硅芯片與封膠的熱膨脹系數差異極大(硅材料的熱膨脹系數為2.3，封膠的熱膨脹系數介于20至180之間)，容易使整體封裝結構發生翹曲變形，而且內部應力主要集中在硅芯片的周緣，在周緣處容易產生裂紋。

發明內容

本發明的目的在于提供一種封裝結構及其成型方法，其可以防止封裝結構翹曲。

為實現上述發明目的之一，本發明一實施方式提供一種封裝結構，包括：

基板，包括相對設置的第一表面及第二表面；

芯片，位于所述第一表面；

第一塑封層，位于所述第一表面并包封所述芯片；

支撐塊，位于所述第二表面；

其中，于所述基板的厚度方向上，所述芯片及所述支撐塊之間具有重疊區域，且所述芯片的熱膨脹系數與所述支撐塊的熱膨脹系數相等。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述封裝結構包括位于所述第一表面且間隔分布的多個芯片，相鄰芯片之間具有間隙，所述支撐塊至少對應所述間隙的兩端設置。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述支撐塊還對應所述間隙的其他區域、所述間隙的延伸區域、所述芯片的角落區域、所述芯片的邊緣區域、所述第一塑封層的角落區域、所述第一塑封層的邊緣區域中的一個或多個區域設置。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述基板為第一重布線堆疊層，所述第一重布線堆疊層包括位于第一表面的第一電連部及位于所述第二表面的第二電連部，所述芯片電性連接所述第一電連部，所述支撐塊上設有電連結構，所述電連結構連接所述第二電連部。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述電連結構為布線結構和/或第一銅柱。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述封裝結構還包括連接所述第二電連部的第二銅柱以及第二塑封層，所述第二塑封層位于所述第二表面并包封所述第二銅柱及所述支撐塊。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述封裝結構的至少部分外周緣暴露出所述第二塑封層。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述封裝結構還包括植球，所述植球連接所述第二銅柱，或者，所述植球通過第二重布線堆疊層連接所述第二銅柱和/或所述支撐塊的所述電連結構。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述封裝結構還包括位于所述第二塑封層遠離所述第二表面一側的介電層，所述植球的部分區域暴露于所述介電層外。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述封裝結構還包括位于所述第一表面的輔助芯片。