[發明專利]一種聚焦離子束切割制樣方法

有效

• 申請號: 202010058948.8
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111220819B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 黃亞敏;董業民;陳曉杰
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G01Q30/20
• 分類號: G01Q30/20
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

1.一種聚焦離子束切割制樣方法，其特征在于，包括：

在經過預處理的樣品薄片的表面沉積保護層，得到第一試樣(21)；

確定所述第一試樣(21)的切割中心(30)的位置；其中，所述切割中心(30)為目標結構的定位中心；

對所述第一試樣(21)進行切割；

所述對所述第一試樣(21)進行切割，包括：

對所述第一試樣(21)進行方環切割，得到第二試樣(22)；

若確定所述第二試樣(22)與樣品臺在粘接處形成緊密層，對所述第二試樣(22)進行圓環切割，得到第三試樣(23)；

對所述第三試樣(23)進行閉環切割，去除所述切割中心(30)，在所述第三試樣(23)的頂部剩余部分所述保護層的時候，停止所述閉環切割，得到目標試樣(24)。

2.根據權利要求1所述的制樣方法，其特征在于，所述在經過預處理的樣品薄片的表面沉積保護層，得到第一試樣(21)，包括：

在集成器件結構中確定目標結構；

確定所述目標結構的定位中心；

根據所述定位中心對所述集成器件結構進行切割，得到樣品；其中，所述樣品包括所述目標結構；

對所述樣品粗減薄得到所述樣品薄片。

3.根據權利要求2所述的制樣方法，其特征在于，所述樣品薄片長度為0.1μm-5μm；

所述樣品薄片寬度為0.1μm-3μm；

所述樣品薄片高度為0.1μm-1μm。

4.根據權利要求1所述的制樣方法，其特征在于，所述對所述第一試樣(21)進行方環切割，得到第二試樣(22)，包括：

確定內方環的邊長；

確定外方環的邊長；

切割除去所述內方環和所述外方環之間的所述第一試樣(21)；

得到方柱形的所述第二試樣(22)。

5.根據權利要求4所述的制樣方法，其特征在于，所述對所述第二試樣(22)進行圓環切割，得到第三試樣(23)，包括：

確定內圓環的直徑；

確定外圓環的直徑；

切割除去所述內圓環和所述外圓環之間的所述第二試樣(22)；

得到圓臺形的所述第三試樣(23)；

其中，所述圓臺形的上表面直徑等于所述內圓環的直徑，所述圓臺形的下表面直徑等于所述外圓環的直徑。

6.根據權利要求5所述的制樣方法，其特征在于，所述目標試樣(24)的高度為50nm-200nm，所述目標試樣(24)的直徑為30nm-100nm。

7.根據權利要求1所述的制樣方法，其特征在于，所述保護層材質為金屬化合物或非金屬化合物。

8.根據權利要求7所述的制樣方法，其特征在于，所述保護層厚度為50nm-150nm。