[發明專利]氧化硅的拓撲選擇性膜形成的方法

在審

• 申請號: 202010057814.4
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111524788A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 優財津;深澤篤毅
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種用于在襯底的表面上形成的階梯上形成含有Si-O鍵的介電膜的方法，所述方法包括以下過程：

(i)通過參照初始介電膜的非目標部分預先選擇待選擇性去除的目標部分來設計形成在所述階梯上的含有Si-O鍵的最終介電膜的拓撲，從而產生所述最終介電膜，所述目標部分為形成在所述階梯的頂表面和底表面上的所述初始介電膜的頂部/底部部分或形成在所述階梯的側壁上的所述初始介電膜的側壁部分；

(ii)在所述階梯的所述頂表面、所述底表面和所述側壁上保形地沉積所述初始介電膜；以及

(iii)相對于所述初始介電膜的所述非目標部分中所含的雜質的量，相對增加所述初始介電膜的所述目標部分中所含的雜質的量以獲得經處理的介電膜，從而賦予所述目標部分和所述非目標部分在經受蝕刻時不同的耐化學性。

2.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括(iv)蝕刻所述經處理的介電膜以獲得所述最終介電膜。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述雜質包括碳和/或鹵素。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在過程(i)中，預先選擇所述側壁部分為所述目標部分，并且在過程(ii)中，使用還含有碳和/或鹵素的含硅前體沉積所述初始介電膜，并且在過程(iii)中，通過減少所述初始介電膜的所述非目標部分中所含的雜質的量來相對增加所述目標部分中所含的雜質的量，所述減少通過由在兩個電極之間施加RF功率所激發的等離子體的各向異性轟擊來實現，所述襯底與所述兩個電極平行地放置在所述兩個電極之間。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在過程(i)中，預先選擇所述頂部/底部部分為所述目標部分，并且在過程(iii)中，通過增加所述初始介電膜的所述目標部分中所含的雜質的量來相對增加所述目標部分中所含的雜質的量，所述增加通過(iiia)在所述初始介電膜的整個暴露表面上吸附含有碳和/或鹵素的非硅氣體和(iiib)使所述吸附了非硅氣體的表面經受通過在兩個電極之間施加RF功率所激發的等離子體的各向異性轟擊來實現，所述襯底與所述兩個電極平行地放置在所述兩個電極之間。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在過程(i)中，預先選擇所述頂部/底部部分為所述目標部分，并且在過程(iii)中，通過增加所述初始介電膜的所述目標部分中所含的雜質的量來相對增加所述目標部分中所含的雜質的量，所述增加通過(iiic)使所述初始介電膜經受通過在含有碳和/或鹵素的非硅氣體的存在下在兩個電極之間施加RF功率所激發的等離子體的各向異性轟擊來實現，所述襯底與所述兩個電極平行地放置在所述兩個電極之間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在過程(ii)中，通過等離子體增強ALD或熱ALD沉積所述初始介電膜。

8.根據權利要求4所述的方法，其中所述含硅前體選自Si₂R_yCl_6-y，其中y為0至5的整數，和SiR_xCl_4-x，其中R為H或烷基基團，并且x為0至3的整數。

9.根據權利要求4所述的方法，其中所述RF功率為0.85W/cm²至1.41W/cm²所述襯底每單位表面積，并且在1至100Pa的壓力下施加。

10.根據權利要求5所述的方法，其中所述非硅氣體選自烴類氣體、鹵素氣體和鹵化氣體。

11.根據權利要求5所述的方法，其中所述RF功率為0.85W/cm²至1.41W/cm²所述襯底每單位表面積，并且在1至100Pa的壓力下施加。

12.根據權利要求6所述的方法，其中所述非硅氣體選自烴類氣體、鹵素氣體和鹵化氣體。