[發(fā)明專利]一種提高功率器件耐壓和開關(guān)時(shí)間性能的柵極構(gòu)造在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010053742.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111146280A | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳譯;陳利;陳彬;陳劍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門芯一代集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/423 | 分類號(hào): | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 361011 福建省廈門市中國(guó)(福建*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 功率 器件 耐壓 開關(guān)時(shí)間 性能 柵極 構(gòu)造 | ||
1.一種提高功率器件耐壓和開關(guān)時(shí)間性能的柵極構(gòu)造,其特征在于:包括背面金屬層(20)、襯底層(10)和源極金屬表面層(18);所述襯底層(10)由下而上依次為漏極層(19)、漂移層(11)、基區(qū)(12);所述襯底層(10)設(shè)有柵槽結(jié)構(gòu)(10A),所述柵槽結(jié)構(gòu)(10A)內(nèi)設(shè)有柵極區(qū)(14)和屏蔽電極(15),二者以氧化絕緣層(16A)上下隔開,與柵槽結(jié)構(gòu)(10A)的溝道壁間以柵極氧化層(16B)和柵極底部氧化層(16C)隔開,所述柵槽結(jié)構(gòu)(10A)上方兩側(cè)基區(qū)(12)內(nèi)設(shè)有源極區(qū)(13),所述柵槽結(jié)構(gòu)(10A)正上方源極金屬表面層(18)內(nèi)設(shè)有電極分離絕緣層(17),所述柵槽結(jié)構(gòu)(10A)的溝道壁角部(30)導(dǎo)入一絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高功率器件耐壓和開關(guān)時(shí)間性能的柵極構(gòu)造,其特征在于:所述溝道壁角部(30)導(dǎo)入的絕緣層由兩層高介電體層組成,第1層高介電體層(33)與外側(cè)氧化層(31)接觸,第2層高介電體層(34)與內(nèi)側(cè)氧化層(32)相接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高功率器件耐壓和開關(guān)時(shí)間性能的柵極構(gòu)造,其特征在于:所述溝道壁角部(30)導(dǎo)入的絕緣層的比介電率比SiO2材質(zhì)的更高。
4.根據(jù)權(quán)利要求2 或3所述的一種提高功率器件耐壓和開關(guān)時(shí)間性能的柵極構(gòu)造,其特征在于:所述溝道壁角部(30)導(dǎo)入的絕緣層可以用濺射或CVD的工藝方法形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2 或3所述的一種提高功率器件耐壓和開關(guān)時(shí)間性能的柵極構(gòu)造,其特征在于:所述溝道壁角部(30)導(dǎo)入的絕緣層由材料ZrO2、Ta2O5和Al2O3組成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





