[發(fā)明專利]一種用于碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光的拋光液在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010050280.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111234705A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王家雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昂士特科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09G1/02 | 分類號(hào): | C09G1/02 |
| 代理公司: | 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384 | 代理人: | 梁炎芳;謝亮 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 碳化硅 化學(xué) 機(jī)械拋光 拋光 | ||
本發(fā)明公開了一種用于碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光的拋光液,包括:磨料、氧化劑、生物緩沖液、pH調(diào)節(jié)劑和水性介質(zhì),所述磨料為硅溶膠(SiO2)和鋁溶膠(Al2O3)中的其中一種或者兩者的混合物,所述磨料的重量百分比濃度為1%?40%,所述生物緩沖液的重量百分比濃度為0.05%?5%,所述氧化劑的重量百分比濃度為0.2%?10%;所述拋光液的pH值為7?11。本發(fā)明技術(shù)方案旨在提出一種能在堿性溶液中有效達(dá)成優(yōu)良去除率和粗糙度的拋光液。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料拋光技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光的拋光液。
背景技術(shù)
以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體近年受到廣泛關(guān)注。碳化硅由于其高硬度、優(yōu)異的導(dǎo)熱性能、抗摩擦能力、以及大的禁帶寬度,而被應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)與光學(xué)器件。然而,其廣泛的應(yīng)用建立在其優(yōu)異的表面平整度與光潔度基礎(chǔ)之上,而因其超硬度和杰出的抗摩擦性能,使得碳化硅表面處理成為一個(gè)難題。目前最有效的碳化硅表面處理方法是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù),它可將碳化硅晶片的表面粗糙度降到0.2納米以下,從而為隨后的器件外延打下良好的基礎(chǔ)。
CMP技術(shù)是采用化學(xué)反應(yīng)與機(jī)械摩擦的雙重作用達(dá)到表面平整與拋光的目的,由于其化學(xué)作用的高選擇性,它目前是半導(dǎo)體工業(yè),尤其集成電路與芯片制造領(lǐng)域的首選表面平整技術(shù)。然而,碳化硅不僅具有極高機(jī)械強(qiáng)度,還是高度的化學(xué)惰性,從而使得CMP技術(shù)應(yīng)用于其表面拋光面臨著極大的挑戰(zhàn)。碳化硅具有多種結(jié)構(gòu)形態(tài),如3C、4H、6H,等等,但其最穩(wěn)定、最常用的晶型是4H與6H兩種。碳化硅晶片的特點(diǎn)之一是其晶片兩面可分為硅面與碳面而不同質(zhì),從而使得兩個(gè)面的拋光手段完全不同。而碳化硅的器件外延主要發(fā)生在硅面,其表面粗糙度的要求一般是0.2納米以下。
目前國內(nèi)外對(duì)碳化硅的化學(xué)機(jī)械拋光已經(jīng)作了大量的研究工作,并且發(fā)現(xiàn)在碳化硅拋光中,化學(xué)作用充當(dāng)了重要的角色。由此產(chǎn)生了一系列不同成份的拋光液。在這些不同組分的拋光液中,硬質(zhì)磨料,如鉆石粉及氧化鋁磨料,占了很大一部分,這些硬質(zhì)磨料確實(shí)有助于提高碳化硅表面如硅面材料的去除率,但可能帶來刮傷,從而影響其表面粗糙度。所以在精拋階段,硅凝膠也許是最佳選擇。為了彌補(bǔ)其去除率的不足,不同的化學(xué)添加劑被加入到拋光液中,其中最普遍使用的是氧化劑,如過氧化氫。此外,還可能包含絡(luò)合劑,及抗腐蝕劑等。這些添加劑包含一些不同的無機(jī)或有機(jī)酸堿,能夠明顯增加碳化硅去除率的似乎難以見到。目前,除了使用鉆石粉等硬質(zhì)磨料外,碳化硅的拋光還普遍在酸性介質(zhì)中進(jìn)行,而酸性介質(zhì)增加了碳化硅表面的腐蝕性,從而影響到表面粗糙度,同時(shí)還增加了設(shè)備的腐蝕。因而,開發(fā)一種能在堿性溶液中有效達(dá)成優(yōu)良去除率和粗糙度的拋光液,仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問題,本發(fā)明的主要目的是提出一種能在堿性溶液中有效達(dá)成優(yōu)良去除率和粗糙度的拋光液,即一種用于碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光的拋光液,包括:磨料、氧化劑、生物緩沖液、pH調(diào)節(jié)劑和水性介質(zhì),所述磨料為硅溶膠(SiO2)和鋁溶膠(Al2O3)中的其中一種或者兩者的混合物,所述磨料的重量百分比濃度為1%-50%,所述生物緩沖液的重量百分比濃度為0.05%-5%,所述氧化劑的重量百分比濃度為0.2%-10%;所述拋光液的比重大約為1.05g/ml,其pH值為7-11。所述拋光液的構(gòu)成除了上述各組份外,余量為水。
進(jìn)一步地,所述磨料還包括鉆石粉液,所述鉆石粉液的重量百分比濃度為0.5%-10%,所述鉆石粉的粒徑為0.1-5微米。
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