[發明專利]三維存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 202010049479.3
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111244098B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 毛曉明;李兆松;盧峰;高晶;周文斌
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請提供一種三維存儲器及其制備方法，所述制備方法包括：提供半導體結構，其中，所述半導體結構包括襯底和設于所述襯底上的第一堆疊結構，所述半導體結構具有貫穿所述第一堆疊結構的第一溝道孔，及形成于所述第一溝道孔中的第一填充犧牲層；在所述第一堆疊結構上形成連接層；在所述連接層內形成連接孔，所述連接孔露出所述第一填充犧牲層，其中，所述連接孔靠近所述襯底端的孔徑小于或等于所述第一溝道孔背向所述襯底端的孔徑。本申請提供的三維存儲器的制備方法，解決了三維存儲器的制備良率的問題。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種三維存儲器及其制備方法。

背景技術

三維存儲器是實現數據在三維空間中的存儲和傳遞，大幅提高存儲設備的存儲能力的存儲器。現有的三維存儲器隨著堆疊層數的增加，雙層溝道孔結構應運而生，但是雙層溝道孔的對準是個難題，其會影響三維存儲器的制備良率。

發明內容

本申請提供一種三維存儲器及其制備方法，解決了三維存儲器的制備良率的問題。

本申請提供一種三維存儲器的制備方法，所述制備方法包括：

提供半導體結構，其中，所述半導體結構包括襯底和設于所述襯底上的第一堆疊結構，所述半導體結構具有貫穿所述第一堆疊結構的第一溝道孔，及形成于所述第一溝道孔中的第一填充犧牲層；

在所述第一堆疊結構上形成連接層；

在所述連接層內形成連接孔，所述連接孔露出所述第一填充犧牲層，其中，所述連接孔靠近所述襯底端的孔徑小于或等于所述第一溝道孔背向所述襯底端的孔徑。

其中，所述“在所述連接層內形成連接孔，所述連接孔露出所述第一填充犧牲層”包括：

在所述連接層上形成光阻層；

在所述光阻層上形成開口，所述開口露出所述連接層；

蝕刻所述開口對應的所述連接層以形成所述連接孔。

其中，所述“在所述連接層內形成連接孔，所述連接孔露出所述第一填充犧牲層”之后，所述制備方法還包括：

在所述連接孔中形成第二填充犧牲層。

其中，所述“在所述連接孔中形成第二填充犧牲層”之后，所述制備方法還包括：

在所述連接層上形成第二堆疊結構；

在所述第二堆疊結構上形成第二溝道孔，所述第二溝道孔露出所述第二填充犧牲層，其中，所述第二溝道孔靠近所述連接層端的孔徑小于或等于所述連接孔靠近所述第二堆疊結構端的孔徑。

其中，所述“提供半導體結構”包括：

提供所述襯底；

在所述襯底上形成所述第一堆疊結構；

在所述第一堆疊結構上形成所述第一溝道孔；

在所述第一溝道孔中形成所述第一填充犧牲層。

其中，在所述“在所述第一堆疊結構上形成第一溝道孔”和所述“在所述第一溝道孔中形成第一填充犧牲層”之間，所述制備方法包括：

在所述第一溝道孔的底部形成外延結構。

其中，所述第二堆疊結構包括第二堆棧層和掩模層，所述“在所述連接層上形成第二堆疊結構”包括：

在所述連接層上形成第二堆棧層；

在所述第二堆棧層上形成掩模層。

其中，所述“在所述第二堆疊結構上形成第二溝道孔，所述第二溝道孔露出所述第二填充犧牲層”之后，所述制備方法還包括：