[發(fā)明專利]薄膜制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010047837.7
• 申請(qǐng)日: 2020-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111235537A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊健;郭冰亮;董博宇;宋玲彥;孫魯陽(yáng);顏曉威;馬迎功;趙晨光;武學(xué)偉;武樹(shù)波;楊依龍;李新穎;張璐;劉玉杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08;H01L33/42
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種薄膜制備方法，其特征在于，包括：

第一沉積步，向工藝腔室中通入工藝氣體，并向靶材加載射頻功率，以在襯底上沉積薄膜阻擋層，其中，所述第一沉積步包括至少兩個(gè)阻擋層沉積時(shí)段，每一所述阻擋層沉積時(shí)段采用的射頻功率均大于上一所述阻擋層沉積時(shí)段采用的射頻功率；

第二沉積步，繼續(xù)向所述工藝腔室中通入所述工藝氣體，并向所述靶材加載直流功率，以在所述薄膜阻擋層上沉積薄膜主體層，其中，所述第二沉積步包括至少兩個(gè)主體層沉積時(shí)段，每一所述主體層沉積時(shí)段采用的直流功率均大于上一所述主體層沉積時(shí)段采用的直流功率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，還包括：

調(diào)節(jié)所述第二沉積步采用的靶基間距和所述工藝氣體的流量，以增大薄膜的晶粒尺寸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述第二沉積步采用的靶基間距的取值范圍為80mm-110mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述第二沉積步采用的所述工藝氣體的流量的取值范圍為20sccm-50sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，在所述第二沉積步中，在向所述靶材加載直流功率的同時(shí)，向所述靶材加載射頻功率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述第二沉積步采用的射頻功率為150W-300W。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述第一沉積步包括三個(gè)所述阻擋層沉積時(shí)段，第一個(gè)所述阻擋層沉積時(shí)段采用的射頻功率為100W；第二個(gè)所述阻擋層沉積時(shí)段采用的射頻功率為200W；第三個(gè)所述阻擋層沉積時(shí)段采用的射頻功率為300W。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述第二沉積步包括三個(gè)所述主體層沉積時(shí)段，第一個(gè)所述主體層沉積時(shí)段采用的直流功率為50W；第二個(gè)所述主體層沉積時(shí)段采用的直流功率為80W；第三個(gè)所述主體層沉積時(shí)段采用的直流功率為180W。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述第一沉積步采用的靶基間距的取值范圍為90mm-120mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述第一沉積步采用的所述工藝氣體的流量的取值范圍為30sccm-100sccm。