[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010047731.7
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN112420659A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 胡致嘉;陳憲偉;陳明發;詹森博
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導體結構，包括：

半導體襯底，在所述半導體襯底中包括多個半導體器件；

多個內連層，設置在所述半導體襯底之上且電耦合到所述半導體器件；

第一連接件，設置在所述多個內連層之上且延伸到與所述多個內連層的第一層級接觸；以及

第二連接件，設置在所述多個內連層之上且與所述第一連接件實質上齊平，所述第二連接件比所述第一連接件延伸得更遠，以與位于所述多個內連層的所述第一層級與所述半導體襯底之間的所述多個內連層的第二層級接觸，所述第一連接件寬于所述第二連接件。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

接觸焊盤，設置在所述多個內連層的所述第一層級之上且通過所述多個內連層電耦合到所述半導體襯底的所述半導體器件。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，還包括：

第三連接件，所述第三連接件的頂表面與所述第一連接件的頂表面及所述第二連接件的頂表面實質上齊平，所述第三連接件延伸到與所述接觸焊盤接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

半導體穿孔，穿透過所述半導體襯底以與所述多個內連層中的任一個接觸，所述半導體穿孔通過所述多個內連層電耦合到所述半導體襯底的所述半導體器件。

5.一種半導體結構，包括：

第一半導體管芯，包括第一接合連接件及第二接合連接件，所述第二接合連接件的高度對寬度的比率大于所述第一接合連接件的高度對寬度的比率；以及

第二半導體管芯，堆疊在所述第一半導體管芯上且接合到所述第一半導體管芯，所述第二半導體管芯包括接合到所述第一半導體管芯的所述第一接合連接件的第三接合連接件及接合到所述第一半導體管芯的所述第二接合連接件的第四接合連接件，其中所述第三接合連接件的尺寸及所述第四接合連接件的尺寸分別對應于所述第一接合連接件的尺寸及所述第二接合連接件的尺寸。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中所述第一半導體管芯的所述第一接合連接件在所述第一半導體管芯與所述第二半導體管芯之間的接合界面處與所述第一半導體管芯的所述第二接合連接件實質上齊平。

7.根據權利要求5所述的半導體結構，其中所述第一半導體管芯還包括：

第一半導體襯底，在所述第一半導體襯底中包括多個第一半導體器件；以及

多個第一內連層，設置在所述第一半導體襯底之上且電耦合到所述第一半導體器件，其中所述第一接合連接件設置在所述多個第一內連層之上且從位于所述第一半導體管芯與所述第二半導體管芯之間的接合界面延伸到所述多個第一內連層的第一層級。

8.一種半導體結構的制造方法，包括：

在第一半導體襯底之上的第一內連結構上形成第一表面介電層；

形成第一通孔開口及第二通孔開口，其中所述第二通孔開口穿透過所述第一表面介電層且比所述第一通孔開口延伸得更遠，以能夠觸及的方式顯露出所述第一內連結構的至少一部分，所述第二通孔開口比所述第一通孔開口窄；以及

在所述第一通孔開口及所述第二通孔開口中形成導電材料，以對應地形成第一接合連接件及第二接合連接件。

9.根據權利要求8所述的制造方法，還包括：

將第二表面介電層、第三接合連接件及第四接合連接件分別接合到所述第一表面介電層、所述第一接合連接件及所述第二接合連接件，其中所述第三接合連接件的尺寸及所述第四接合連接件的尺寸對應于所述第一接合連接件的尺寸及所述第二接合連接件的尺寸。

10.根據權利要求8所述的制造方法，其中在形成所述第一表面介電層之前，所述制造方法還包括：

在所述第一半導體襯底上形成所述第一內連結構的一部分；

形成從所述第一內連結構的所述一部分延伸到所述第一半導體襯底的半導體穿孔；以及

在所述第一內連結構的所述一部分及所述半導體穿孔上形成所述第一內連結構的其余部分。