[發明專利]一種高介電常數的塑料薄膜及其制造方法

在審

• 申請號: 202010045681.9
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111333953A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 張自魁;潘浩
• 申請（專利權）人: 上海皓月新能源科技有限公司
• 主分類號: C08L23/12
• 分類號: C08L23/12;C08K3/22;C08J5/18;H01G4/06;H01G4/33
• 代理公司: 上海滬慧律師事務所 31311
• 代理人: 朱九皋

1.一種高介電常數的塑料薄膜，其特征在于：它包括有機塑料、氧化鉭及氧化鈮；氧化鉭、氧化鈮均勻分布于有機塑料中；氧化鉭與氧化鈮的體積比含量占有機塑料、氧化鉭及氧化鈮的總體積的10％-70％；氧化鈮的體積比含量占氧化鉭與氧化鈮總體積的10％-90％。

2.根據權利要求1所述的高介電常數的塑料薄膜，其特征在于：所述氧化鉭、氧化鈮以納米級狀態均勻分布于有機塑料中。

3.根據權利要求2所述的高介電常數的塑料薄膜，其特征在于：所述的有機塑料為聚丙烯或聚乙烯或聚四氟乙烯或聚苯乙烯或聚酯或聚碳酸酯。

4.根據權利要求3所述的高介電常數的塑料薄膜，其特征在于：所述氧化鉭與氧化鈮的體積比含量占有機塑料、氧化鉭及氧化鈮的總體積的30％-50％。

5.根據權利要求4所述的高介電常數的塑料薄膜，其特征在于：所述氧化鈮的體積比含量占氧化鉭與氧化鈮總體積的25％-75％。

6.根據權利要求5所述的高介電常數的塑料薄膜，其特征在于：所述的有機塑料為聚丙烯。

7.根據權利要求1至6任意一項所述的高介電常數的塑料薄膜，其特征在于：所述高介電常數的塑料薄膜還包括相容劑。

8.一種如權利要求6所述的高介電常數的塑料薄膜的制造方法，其特征在于：所述納米級氧化鉭、納米級氧化鈮按照比例通過小尺寸效應、表面或界面效應作用通過機械共混均勻分布在有機塑料熔融物中，通過擠出成型形成金屬氧化物有機塑料粒子；然后金屬氧化物有機塑料粒子采用擠出成型工藝，在擠壓成型形成厚度均勻的金屬氧化物聚丙烯塑料薄膜。

9.一種如權利要求7所述的高介電常數的塑料薄膜的制造方法，其特征在于：所述納米級氧化鉭、納米級氧化鈮按照比例通過小尺寸效應、表面或界面效應作用與相容劑結合后再通過機械共混均勻分布在有機塑料熔融物中，通過擠出成型形成金屬氧化物有機塑料粒子；然后金屬氧化物有機塑料粒子采用擠出成型工藝，在擠壓成型形成厚度均勻的金屬氧化物聚丙烯塑料薄膜。

10.根據權利要求8或9所述的高介電常數的塑料薄膜，其特征在于：所述金屬氧化物有機塑料粒子采用擠出成型工藝，在擠壓成型并雙向拉伸加工形成厚度均勻的金屬氧化物聚丙烯塑料薄膜。