[發明專利]包括數據存儲圖案的半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010040953.6
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111490062A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 宋蘇智;樸日穆;樸圭述
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種半導體器件，包括：

第一導線，設置在基板上并且沿平行于所述基板的上表面的第一方向延伸；

第二導線，設置在所述第一導線上并且沿垂直于所述第一方向且平行于所述基板的所述上表面的第二方向延伸；

第一數據存儲結構，設置在所述第一導線和所述第二導線之間，其中所述第一數據存儲結構中的每個包括第一下數據存儲電極、在所述第一下數據存儲電極上的第一數據存儲圖案和在所述第一數據存儲圖案上的第一上數據存儲電極；以及

第一蝕刻停止層，鄰近所述第一數據存儲圖案的下側表面并且沿所述第一方向和所述第二方向延伸，

其中在所述第二方向上，所述第一下數據存儲電極的上部的寬度小于所述第一下數據存儲電極的下部的寬度，在所述第二方向上，所述第一數據存儲圖案的上部的寬度大于所述第一數據存儲圖案的下部的寬度，且在所述第二方向上，所述第一下數據存儲電極的所述上部的所述寬度不同于所述第一數據存儲圖案的所述下部的所述寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中在所述第二方向上，所述第一上數據存儲電極的上部的寬度大于所述第一上數據存儲電極的下部的寬度，以及

其中在所述第二方向上，所述第一上數據存儲電極的所述下部的所述寬度與所述第一數據存儲圖案的所述上部的所述寬度相同。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一選擇器結構，設置在所述第一導線和所述第二導線之間并且串聯連接到所述第一數據存儲結構。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中在所述第二方向上，所述第一選擇器結構的上部的寬度小于所述第一選擇器結構的下部的寬度，以及

其中在所述第二方向上，所述第一選擇器結構的所述下部的所述寬度不同于所述第一上數據存儲電極的上部的寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

絕緣圖案，設置在所述第一蝕刻停止層下面，覆蓋所述第一下數據存儲電極的側表面，并且包括孔隙。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述孔隙與所述第一蝕刻停止層的下表面接觸。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一數據存儲圖案的下端在所述第一蝕刻停止層的下表面之下。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在所述第二方向上，所述第一下數據存儲電極的所述下部的所述寬度與所述第一導線中對應的一個的上部的寬度相同。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

設置在所述第二導線上且沿所述第一方向延伸的第三導線；

第二數據存儲結構，設置在所述第二導線和所述第三導線之間，其中所述第二數據存儲結構中的每個包括第二下數據存儲電極、在所述第二下數據存儲電極上的第二數據存儲圖案和在所述第二數據存儲圖案上的第二上數據存儲電極；以及

第二蝕刻停止層，鄰近所述第二數據存儲圖案的下側表面并且沿所述第一方向和所述第二方向延伸，

其中在所述第一方向上，所述第二下數據存儲電極的上部的寬度小于所述第二下數據存儲電極的下部的寬度，在所述第一方向上，所述第二數據存儲圖案的上部的寬度大于所述第二數據存儲圖案的下部的寬度，且在所述第一方向上，所述第二下數據存儲電極的所述上部的所述寬度不同于所述第二數據存儲圖案的所述下部的所述寬度。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中在所述第一方向上，所述第二上數據存儲電極的上部的寬度大于所述第二上數據存儲電極的下部的寬度，以及

其中在所述第一方向上，所述第二上數據存儲電極的所述下部的所述寬度與所述第二數據存儲圖案的所述上部的所述寬度相同。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：

設置在所述第二導線和所述第三導線之間并且串聯連接到所述第二數據存儲結構的第二選擇器結構。