[發明專利]一種顯示面板母版有效
| 申請號: | 202010040306.5 | 申請日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN111103732B | 公開(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發明(設計)人: | 曹武 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1337 | 分類號: | G02F1/1337;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 母版 | ||
本申請提供一種顯示面板母版,該顯示面板母版包括:彩膜基板母版和陣列基板母版,其中彩膜基板母版上設置有彩膜公共電極,陣列基板母版上設置有遮蔽電極和像素電極;該陣列基板母版還包括第一配向端子、第二配向端子以及電位轉換電路,第一配向端子連接像素電極,第二配向端子連接彩膜公共電極,同時第二配向端子通過電位轉換電路連接遮蔽電極,在配向時,電位轉換電路使得遮蔽電極的電位信號位于彩膜公共電極和像素電極的電位信號之間,這樣有利于遮蔽電極邊緣的液晶形成預傾角,有效緩解了遮蔽電極邊緣液晶穿透受限的問題。
技術領域
本申請涉及顯示領域,尤其涉及一種顯示面板母版。
背景技術
傳統采用遮蔽電極設計的面板,采用公共電極取代黑色矩陣遮光,可以克服彩膜基板和陣列基板的偏差問題,因此在顯示領域中廣泛應用。現有技術中,在顯示面板母版配向過程中,所有公共電極都配有統一高位,這樣在液晶配向中,液晶不能形成預傾角,會在顯示過程中形成暗紋,使液晶穿透率降低。
因此,現有的顯示面板配向過程中,存在遮蔽電極邊緣液晶穿透受限的問題,急需緩解。
申請內容
本申請實施例提供一種顯示面板母版,以緩解現有遮蔽電極邊緣液晶穿透受限的問題。
本申請提供一種顯示面板母版,包括:彩膜基板母版,包括多個彩膜基板,所述彩膜基板上形成有彩膜公共電極;與所述彩膜基板母版相對設置的陣列基板母版,包括多個陣列基板,所述陣列基板上形成有遮蔽電極和像素電極;多個邊框,與所述陣列基板以及所述彩膜基板圍成容納空間;液晶盒,設置在所述彩膜基板和所述陣列基板之間;其中,在切割區內,所述陣列基板母版還形成于第一配向端子、第二配向端子以及電位轉換電路,所述第一配向端子直接連接至所述像素電極,所述第二配向端子直接連接至所述彩膜公共電極,同時通過所述電位轉換電路連接至所述遮蔽電極;在進行配向時,所述第一配向端子用于向所述像素電極輸入第一電位信號,所述第二配向端子用于向所述彩膜公共電極以及所述電位轉換電路輸入第二電位信號,所述電位轉換電路用于將所述第二電位信號轉換為第三電位信號后輸入至所述遮蔽電極,所述第三電位信號的大小位于所述第一電位信號和所述第二電位信號之間。
在一些實施例中,所述電位轉換電路至少設置有一個TFT。
在一些實施例中,所述TFT的漏極與所述遮蔽電極相連,所述TFT的源極和柵極與所述彩膜公共電極相連。
在一些實施例中,所述TFT為低溫多晶硅TFT和金屬氧化物半導體TFT中的至少一種。
在一些實施例中,所述TFT源極與所述彩膜公共電極相連的路徑上設置有電阻。
在一些實施例中,所述遮蔽電極包括第一遮蔽電極、第二遮蔽電極、第三遮蔽電極,所述第一遮蔽電極位于第一子像素和第二子像素之間,所述第二遮蔽電極位于第二子像素和第三子像素之間;所述第三遮蔽電極位于第一子像素和第三子像素之間;所述電位轉換電路分別為所述第一遮蔽電極、所述第二遮蔽電極、所述第三遮蔽電極提供不同大小的第三電位信號。
在一些實施例中,在所述陣列基板顯示區內,所述陣列基板上還設置有共享電極,所述第二配向端子直接連接至所述共享電極。
在一些實施例中,陣列基板還形成陣列公共電極,所述陣列基板還形成陣列公共電極,所述陣列公共電極通過轉換電極連接所述彩膜公共電極,所述第二配向端子通過所述陣列公共電極連接至所述彩膜公共電極。
在一些實施例中,在所述陣列基板上,第一金屬層形成所述陣列公共電極、第二金屬層形成所述共享電極。
在一些實施例中,所述轉換電極設置在邊框上。
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