[發(fā)明專利]一種判斷閃存的操作接口模式的方法和裝置以及設(shè)備

在審

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• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN111240596A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李虎;梁永權(quán)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市德名利電子有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/22
• 代理公司: 深圳市道勤知酷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44439
• 代理人: 何兵;饒盛添

本發(fā)明公開了一種判斷閃存的操作接口模式的方法和裝置以及設(shè)備。其中，所述方法包括：對存儲設(shè)備的存儲主控進行上電，和在對該存儲設(shè)備的存儲主控進行上電后，對該存儲設(shè)備的閃存進行物理讀操作，和根據(jù)該進行的物理讀操作，檢測該存儲設(shè)備的雙向數(shù)據(jù)控制引腳是否反轉(zhuǎn)得到檢測結(jié)果，和根據(jù)該檢測結(jié)果，判斷該存儲設(shè)備的閃存當(dāng)前的操作接口模式，以及根據(jù)該判斷出的操作接口模式，從該存儲設(shè)備的閃存中讀出運行代碼。通過上述方式，能夠?qū)崿F(xiàn)無需在存儲設(shè)備的存儲主控上外加外部引腳就能判斷存儲設(shè)備的閃存當(dāng)前的操作接口模式，能夠?qū)崿F(xiàn)存儲設(shè)備能夠節(jié)省該外部引腳的成本，同時又不會增加存儲設(shè)備的主控芯片的面積。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種判斷閃存的操作接口模式的方法和裝置以及設(shè)備。

背景技術(shù)

在SD(Secure Digital Memory Card，安全數(shù)碼卡)卡和閃存盤等存儲設(shè)備上都是由存儲主控和NAND FLASH(閃存)組成。

由于NAND FLASH的操作接口模式可以分為SDR(Single Data Rate，單數(shù)據(jù)速率)模式和DDR(Double Data Rate，雙數(shù)據(jù)速率)模式，不同的NAND FLASH在上電初始化后，會處在其中一種操作接口模式中。存儲主控在上電后，需要識別出NAND FLASH是SDR模式還是DDR模式，才能對NAND FLASH進行讀寫操作。

由于存儲主控需要在上電后從NAND FLASH上讀出Code(代碼)并執(zhí)行。在讀出該代碼前，存儲主控需要判斷當(dāng)前NAND FALSH的操作接口模式為SDR模式或DDR模式。

現(xiàn)有的判斷閃存的操作接口模式的方案，一般是通過在存儲主控上外加一個外部引腳來判斷NAND FALSH當(dāng)前的操作接口模式是SDR模式還是DDR模式，在讀取到該外部引腳為高電平時，則判斷閃存的操作接口模式為雙數(shù)據(jù)速率模式，在讀取到該外部引腳為低電平時，則判斷閃存的操作接口模式為單數(shù)據(jù)速率模式。

然而，現(xiàn)有的判斷閃存的操作接口模式的方案，由于需要通過在存儲設(shè)備的存儲主控上外加一個外部引腳來判斷存儲設(shè)備的閃存當(dāng)前的操作接口模式是單數(shù)據(jù)速率模式還是雙數(shù)據(jù)速率模式，導(dǎo)致存儲設(shè)備需要增加該外加的外部引腳的成本，同時又因該外加的外部引腳導(dǎo)致存儲設(shè)備的存儲主控芯片的面積會增加。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種判斷閃存的操作接口模式的方法和裝置以及設(shè)備，能夠?qū)崿F(xiàn)無需在存儲設(shè)備的存儲主控上外加外部引腳就能判斷存儲設(shè)備的閃存當(dāng)前的操作接口模式，能夠?qū)崿F(xiàn)存儲設(shè)備能夠節(jié)省該外部引腳的成本，同時又不會增加存儲設(shè)備的主控芯片的面積。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種判斷閃存的操作接口模式的方法，包括：對存儲設(shè)備的存儲主控進行上電；在對所述存儲設(shè)備的存儲主控進行上電后，對所述存儲設(shè)備的閃存進行物理讀操作；根據(jù)所述進行的物理讀操作，檢測所述存儲設(shè)備的雙向數(shù)據(jù)控制引腳是否反轉(zhuǎn)得到檢測結(jié)果；根據(jù)所述檢測結(jié)果，判斷所述存儲設(shè)備的閃存當(dāng)前的操作接口模式；根據(jù)所述判斷出的操作接口模式，從所述存儲設(shè)備的閃存中讀出運行代碼。

其中，所述根據(jù)所述進行的物理讀操作，檢測所述存儲設(shè)備的雙向數(shù)據(jù)控制引腳是否反轉(zhuǎn)得到檢測結(jié)果，包括：根據(jù)所述進行的物理讀操作，檢測所述存儲設(shè)備的雙向數(shù)據(jù)控制引腳是否反轉(zhuǎn)，在檢測出所述存儲設(shè)備的雙向數(shù)據(jù)控制引腳是反轉(zhuǎn)時，得出引腳反轉(zhuǎn)的檢測結(jié)果，在檢測出所述存儲設(shè)備的雙向數(shù)據(jù)控制引腳是不反轉(zhuǎn)時，得出引腳不反轉(zhuǎn)的檢測結(jié)果。

其中，所述根據(jù)所述檢測結(jié)果，判斷所述存儲設(shè)備的閃存當(dāng)前的操作接口模式，包括：根據(jù)所述檢測結(jié)果，在所述檢測結(jié)果是引腳反轉(zhuǎn)時，判斷所述存儲設(shè)備的閃存當(dāng)前的操作接口模式是雙數(shù)據(jù)速率模式，在所述檢測結(jié)果是引腳不反轉(zhuǎn)時，判斷所述存儲設(shè)備的閃存當(dāng)前的操作接口模式是單數(shù)據(jù)速率模式。

其中，在所述根據(jù)所述判斷出的操作接口模式，從所述存儲設(shè)備的閃存中讀出運行代碼之后，還包括：執(zhí)行所述讀取的運行代碼。