[發(fā)明專利]一種半導體晶圓減薄方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010034702.7
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN113192819A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設計）人: 盧文勝
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞新科技術研究開發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種半導體晶圓減薄方法，其特征在于，包括：

對半導體晶圓的待減薄的表面進行粗磨，粗磨的深度為預設的第一深度；

對所述半導體晶圓的所述待減薄的表面進行精磨，精磨的深度為預設的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度；

用腐蝕液對所述半導體晶圓的所述待減薄的表面進行濕法刻蝕，腐蝕的深度為第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蝕液包括硫酸、氫氟酸和草酸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓減薄方法，其特征在于，所述硫酸、氫氟酸和草酸的體積比為：(6～8)：(1～3)：(0.5～1.5)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體晶圓減薄方法，其特征在于，所述硫酸、氫氟酸和草酸的體積比為：7：2：1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓減薄方法，其特征在于，所述對半導體晶圓的待減薄的表面進行粗磨，具體為：

用砂輪以向下進給速率4～6μm/s且砂輪轉(zhuǎn)速為3500-45000rpm的磨削方式，對半導體晶圓的待減薄的表面進行粗磨。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體晶圓減薄方法，其特征在于，進行粗磨時，砂輪的向下進給速率5μm/s，且砂輪轉(zhuǎn)速為40000rpm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓減薄方法，其特征在于，所述對所述半導體晶圓的所述待減薄的表面進行精磨，具體為：

用砂輪以向下進給速率7～9μm/s且砂輪轉(zhuǎn)速為4500-55000rpm的磨削方式，對半導體晶圓的待減薄的表面進行精磨。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體晶圓減薄方法，其特征在于，進行精磨時，砂輪的向下進給速率8μm/s，且砂輪轉(zhuǎn)速為50000rpm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓減薄方法，其特征在于，所述腐蝕液的溫度為0～-15℃，對所述半導體晶圓的腐蝕時間為3～5分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的半導體晶圓減薄方法，其特征在于，所述第一深度為1mm，所述第二深度為200um，所述第三深度為50-100nm。