[發明專利]一種用于脈沖化學氣相沉積包膜的轉筒式反應器及其應用有效
| 申請號: | 202010024442.5 | 申請日: | 2020-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN111218669B | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發明(設計)人: | 鐘山;楊柯;梁斌;岳海榮;唐思揚;馬奎;劉長軍 | 申請(專利權)人: | 四川大學 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司: | 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李蕊 |
| 地址: | 610064 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 脈沖 化學 沉積 包膜 轉筒式 反應器 及其 應用 | ||
1.一種用于脈沖化學氣相沉積包膜的轉筒式反應器,其特征在于:包括前驅體供應部(A)、反應部(B)和尾氣處理部(C);所述前驅體供應部(A)包括供應SiCl4的第一供氣部和供應水汽的第二供氣部,所述第一供氣部包括源瓶(2),所述源瓶(2)外壁設置有加熱裝置(3),所述第二供氣部為兩端開口的管道;所述反應部(B)包括反應轉筒(6)和驅動所述反應轉筒(6)轉動的驅動裝置(8),所述反應轉筒(6)橫向放置于驅動裝置(8)上,所述驅動裝置(8)包括底座(81),所述底座(81)內部設置有驅動電機(82),頂部設置有相互平行的主動輥軸(83)和從動輥軸,所述主動輥軸(83)與所述驅動電機(82)皮帶連接;所述反應轉筒(6)放置于所述主動輥軸(83)和從動輥軸上;所述反應轉筒(6)內部設置有反應腔,所述反應腔內放置有若干攪拌體(5),所述攪拌體(5)采用與反應轉筒6相同的材質制成,整體上呈立方體形狀,尺寸為30mm×30mm×30mm,反應過程中多個攪拌體(5)與顆粒一起轉動,加強了顆粒床層的擾動,且立方體攪拌體(5)由于慣性和離心力作用上升到一定高度后落下將顆粒團聚體擊碎,可有效避免顆粒在筒壁上黏附,所述反應轉筒(6)一端設置有與所述反應腔相通的四通接頭(4),另一端設置有用于檢測反應腔壓力的壓力檢測裝置(7),所述反應轉筒(6)包括筒體(61)和端蓋(63);所述筒體(61)兩端設置有螺紋安裝口,所述螺紋安裝口底部墊有密封圈(62),所述端蓋(63)旋裝于所述螺紋安裝口內;所述四通接頭(4)通過進氣管(64)設置于所述筒體(61)一端的端蓋(63)上,所述壓力檢測裝置(7)設置于所述筒體(61)另一端的端蓋(63)上;所述尾氣處理部(C)用于對所述反應轉筒(6)抽真空以及吸收反應后的尾氣;所述源瓶(2)、第二供氣部和尾氣處理部(C)通過設置有閥門的管道與所述四通接頭(4)密閉連接。
2.根據權利要求1所述的用于脈沖化學氣相沉積包膜的轉筒式反應器,其特征在于:所述源瓶(2)配備有溫控器(1),所述加熱裝置(3)與所述溫控器(1)電連接。
3.根據權利要求1或2所述的用于脈沖化學氣相沉積包膜的轉筒式反應器,其特征在于:所述加熱裝置(3)為電加熱圈,所述電加熱圈纏繞在所述源瓶(2)上。
4.根據權利要求1所述的用于脈沖化學氣相沉積包膜的轉筒式反應器,其特征在于:所述進氣管(64)末端伸入所述筒體內部。
5.根據權利要求1所述的用于脈沖化學氣相沉積包膜的轉筒式反應器,其特征在于:所述攪拌體(5)為采用聚丙烯制成的立方體,其規格為30mm×30mm×30mm。
6.根據權利要求1所述的用于脈沖化學氣相沉積包膜的轉筒式反應器,其特征在于:所述尾氣處理部(C)包括吸收瓶(9)和真空泵(10);所述真空泵(10)與所述吸收瓶(9)相連接,所述吸收瓶(9)與所述四通接頭(4)相連接;所述吸收瓶(9)內裝有強堿溶液。
7.如權利要求1~6任一項所述的轉筒式反應器在脈沖化學氣相沉積包膜銳鈦型TiO2中的應用。
8.根據權利要求7所述的應用,其特征在于,包括以下步驟:
S1:將干燥后的銳鈦型TiO2放入反應轉筒(6)內,并組裝好轉筒式反應器;
S2:通過加熱裝置(3)將源瓶(2)內的SiCl4加熱成氣體;同時用尾氣處理部(C)將反應轉筒(6)內的壓力抽至-0.085~-0.1MPa;
S3:將氣化后的SiCl4充入抽真空后的反應轉筒(6)內,所充入的SiCl4與TiO2的質量比為1:10;然后反應轉筒(6)以16r/min的轉速轉動120min;
S4:用尾氣處理部(C)將完成S3反應后的反應轉筒(6)的壓力抽至-0.04MPa;
S5:通過供氣部(C)向S4抽真空后的反應轉筒(6)內充入空氣;然后反應轉筒(6)以16r/min的轉速轉動30min;
S6:用尾氣處理部(C)抽去反應轉筒(6)內多余的SiCl4和副產物,得包覆SiO2膜層的TiO2產品;
S7:重復S2~S6,得具有不同厚度SiO2膜層的TiO2產品。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





