[發明專利]檢測裝置及檢測方法

在審

• 申請號: 202010012577.X
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN113075216A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 陳魯;張鵬斌;劉健鵬;張嵩;范鐸;李海衛
• 申請（專利權）人: 深圳中科飛測科技股份有限公司
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88;G01N21/89;G01N21/892;G01N21/894;G01N21/01
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請公開了一種檢測裝置及檢測方法，包括第一光學系統和第二光學系統，所述第一光學系統用于對待測物進行第一檢測，得到所述待測物表面的待檢出對象分布信息；所述第二光學系統用于根據所述待檢出對象分布信息對所述待測物進行第二檢測，得到待檢出對象細節信息，所述第二光學系統的檢測精度高于所述第一光學系統的檢測精度。采用本申請的檢測裝置可提升檢測的準確性。

技術領域

本申請涉及光學技術領域，尤其涉及一種檢測裝置及檢測方法。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片。晶圓作為芯片的基底，如果晶圓上存在缺陷，將導致其制備而成的芯片失效，從而導致芯片的良率降低，制造成本增高，在芯片制備前以及芯片制備過程中均需對晶圓進行缺陷檢測，因此晶圓缺陷檢測裝置是很有必要的。

發明內容

本申請實施例提供一種檢測裝置及檢測方法，用于提升檢測的準確性。

第一方面，本申請提供一種檢測裝置，包括第一光學系統和第二光學系統，所述第一光學系統用于對待測物進行第一檢測，得到所述待測物表明的待檢出對象分布信息；所述第二光學系統用于根據所述待檢出對象分布信息對所述待測物進行第二檢測，得到待檢出對象細節信息，所述第二光學系統的檢測精度高于所述第一光學系統的檢測精度。

第二方面，本申請提供一種檢測方法，應用于如第一方面所述的檢測裝置，所述方法包括：

通過第一光學系統對待測物進行第一檢測，得到所述待測物表面的待檢出對象分布信息；

通過第二光學系統根據所述待檢出對象分布信息對所述待測物進行第二檢測，得到待檢出對象細節信息。

本申請實施例提供的檢測裝置，包括第一光學系統和第二光學系統，第一光學系統用于對待測物進行第一檢測，得到待測物表面的待檢出對象分布信息，第二光學系統用于根據待檢出對象分布信息對待測物進行第二檢測，得到待檢出對象細節信息，第二光學系統的檢測精度高于第一光學系統的檢測精度，通過兩個光學系統實現全面檢測待測物，進而提升檢測的準確性。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請一個實施例的檢測裝置的結構示意圖；

圖2為本申請另一個實施例的檢測裝置的結構示意圖；

圖3為本申請一個實施例的在圖2最左邊的第二暗場光源照射下探測器得到的圖像信息的示意圖；

圖4為本申請一個實施例的在明場光源照射下探測器得到的圖像信息的示意圖；

圖5為本申請一個實施例的在第一暗場光源照射下探測器得到的圖像信息的示意圖；

圖6為本申請另一個實施例的檢測裝置的結構示意圖；

圖7為本申請另一個實施例的檢測裝置的結構示意圖；

圖8為本申請一個實施例的載物臺的結構示意圖；

圖9為本申請另一個實施例的檢測裝置的結構示意圖；

圖10為本申請另一個實施例的檢測裝置的結構示意圖；

圖11為本申請一個實施例的檢測方法的流程示意圖。

具體實施方式

為了使本申請的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本申請進行進一步詳細說明，應對理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本申請，并不用于限定本申請。