[發(fā)明專利]電子器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010011840.3
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111415986A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設計）人: P·莫恩斯;A·巴納爾吉;P·范米爾貝克;F·J·G·德克勒克;A·斯托克曼
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業(yè)有限責任公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張小穩(wěn)

1.一種電子器件，包括：

高電子遷移率晶體管，所述高電子遷移率晶體管包括：

第一掩埋區(qū)；

溝道層，所述溝道層覆蓋在所述第一掩埋區(qū)上面；

柵極電極；以及

漏極電極，所述漏極電極覆蓋在所述第一掩埋區(qū)上面，

其中所述第一掩埋區(qū)朝向所述柵極電極延伸并且不在所述柵極電極下面。

2.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述第一掩埋區(qū)包括p型半導體材料。

3.根據權利要求1或2所述的電子器件，其中所述高電子遷移率晶體管還包括源極電極以及在所述源極電極下面的第二掩埋區(qū)。

4.根據權利要求3所述的電子器件，其中：

所述高電子遷移率晶體管是雙向晶體管，

所述漏極電極是用于所述雙向晶體管的漏極/源極電極，并且

所述源極電極是用于所述雙向晶體管的源極/漏極電極。

5.根據權利要求3所述的電子器件，其中所述第二掩埋區(qū)包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分在所述柵極電極下面，并且比所述第二部分更厚，并且：

所述源極電極比起所述第一部分更靠近所述第二部分，或者

所述漏極電極比起所述第一部分更靠近所述第二部分。

6.根據權利要求5所述的電子器件，其中所述溝道層的一部分覆蓋在所述第二掩埋區(qū)的所述第一部分上面，并且所述溝道層的所述一部分的厚度在20nm至95nm的范圍內。

7.根據權利要求1或2所述的電子器件，其中所述第一掩埋區(qū)和所述柵極電極之間的橫向間距為：

y≥7.5(x)+0.3，

其中，

y是所述第一掩埋區(qū)和所述柵極電極之間的所述橫向間距，以微米為單位，并且

x是所述高電子遷移率晶體管的額定電壓，其中所述額定電壓以kV為單位。

8.根據權利要求1所述的電子器件，其中：

所述高電子遷移率晶體管為增強型晶體管，

所述高電子遷移率晶體管還包括緩沖層、源極電極和阻擋層，

所述第一掩埋區(qū)包括p型半導體材料，

所述緩沖層在所述溝道層下面，具有與所述溝道層相同的基礎半導體材料，并且與所述溝道層相比具有更高的摻雜物濃度，

所述溝道層和所述第一掩埋區(qū)包含Al_xGa_(1-x)N，其中0≤x≤0.1，

所述第一掩埋區(qū)覆蓋在所述緩沖層的一部分而不是全部上面，

所述阻擋層覆蓋在所述溝道層上面并且在所述柵極電極下面，其中所述阻擋層包含Al_yGa_(1-y)N，其中0y≤1并且其中yx，

所述漏極電極的第一部分延伸穿過所述阻擋層并且接觸所述第一掩埋區(qū)，并且所述漏極電極的第二部分在所述阻擋層上方延伸并且接觸所述阻擋層，并且

所述源極電極覆蓋在所述阻擋層上面并且接觸所述阻擋層而且與所述溝道層間隔開。

9.一種電子器件，包括：

高電子遷移率晶體管，所述高電子遷移率晶體管包括：

第一掩埋區(qū)；

溝道層，所述溝道層覆蓋在所述第一掩埋區(qū)上面；

柵極電極，所述柵極電極覆蓋在所述溝道層上面；

p型半導體構件，所述p型半導體構件覆蓋在所述溝道層上面并且設置在所述柵極電極和漏極電極之間；以及

漏極電極，所述漏極電極覆蓋在所述第一掩埋區(qū)上面，其中所述漏極電極、所述第一掩埋區(qū)和所述p型半導體構件在節(jié)點處彼此連接。

10.根據權利要求9所述的電子器件，其中所述第一掩埋區(qū)包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分比所述第二部分更厚，并且所述漏極電極比起所述第一部分更靠近所述第二部分。