[發明專利]一種提高陣列自由度和虛擬孔徑的陣列設置方法

有效

• 申請號: 202010010591.6
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN111142064B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 毋凡;曹菲;占建偉;張艷紅;許劍鋒;秦建強;張輝;馮曉偉;倪小剛;王蓓;李振華;陳沖;薛春嶺
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍火箭軍工程大學
• 主分類號: G01S3/14
• 分類號: G01S3/14;G01S3/04
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 石淑珍

1.一種提高陣列自由度和虛擬孔徑的陣列設置方法，該方法包括以下步驟：

步驟1：根據給定的陣元數W確定改進型互質陣列兩個子陣的陣元數量m和n；

步驟2：根據m和n確定兩個子陣的陣列間隔d_m和d_n；

步驟3：根據m、n、d_m和d_n確定兩個子陣的陣元位置S_m和S_n；

步驟4：構成最終的改進型互質陣列，該陣列陣元位置可表示為S＝S_m∪S_n。

2.根據權利要求1所述的一種提高陣列自由度和虛擬孔徑的陣列設置方法，其特征在于，步驟1所述兩子陣列的陣元數量m和n為：

(1)當總陣元數W為3的倍數時，即表示為W＝3k，則令R＝k，n＝W-m，q＝0；

(2)當總陣元數W為3的倍數加1時，即表示為W＝3k+1，則令R＝k，n＝W-m，令，q＝1；

(3)當總陣元數W為3的倍數加2時，即表示為W＝3k+2，則令R＝k+1，n＝W-m，q＝2。

3.根據權利要求1所述的一種提高陣列自由度和虛擬孔徑的陣列設置方法，其特征在于，步驟2所述的兩個子陣列的陣列間隔d_m和d_n為：

(1)子陣列1為含有m個陣元且陣元間距為(R+1)d的均勻線陣，其中d為入射信號半波長；

(2)子陣列2為含有n個陣元且陣元間距為Rd的均勻線陣。

4.根據權利要求1所述的一種提高陣列自由度和虛擬孔徑的陣列設置方法，其特征在于，步驟3所述的兩個子陣的陣元位置S_m和S_n為：

(1)子陣列2為含有n個陣元，其陣元位置表示為：S_n＝{0,R,…,(n-1)Rd}；

(2)子陣列1為含有m個陣元，其陣元位置表示為：

當q＝0或q＝1時，S_m＝{0,(R+1)d,…,(m-1)(R+1)d}+(R(R+q)+1)d；

當q＝2時，S_m＝{0,(R+1)d,…,(m-1)(R+1)d}+(R²+1)d。