[發明專利]復合材料、電器和制備復合材料的方法在審
| 申請號: | 202010009212.1 | 申請日: | 2020-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN113073286A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 萬鵬;曹達華;楊玲;許智波;黃韋銘 | 申請(專利權)人: | 佛山市順德區美的電熱電器制造有限公司 |
| 主分類號: | C23C4/126 | 分類號: | C23C4/126;C23C4/134;C23C4/129;C23C4/131;C23C4/06;C23C4/08;C23C4/11;C23C4/10;C23C24/04;C23C28/00;H05B3/10 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尚偉凈 |
| 地址: | 528311 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合材料 電器 制備 方法 | ||
1.一種復合材料,其特征在于,包括:
基體,構成所述基體的材料包括金屬、陶瓷或者玻璃;
絕緣層,所述絕緣層形成在所述基體的表面上;
電熱合金涂層,所述電熱合金涂層形成在所述絕緣層遠離所述基體的表面上,
在所述復合材料垂直于所述基體所在平面的至少一個截面上,所述電熱合金涂層與所述絕緣層的界面輪廓具有不低于5微米的輪廓算術平均偏差Ra。
2.根據權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述電熱合金涂層與所述絕緣層的界面輪廓具有不低于20微米的輪廓算術平均偏差Ra。
3.根據權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述電熱合金涂層與所述絕緣層的界面輪廓具有不低于8微米的最高高度Rz。
4.根據權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述電熱合金涂層與所述絕緣層的界面輪廓具有不低于25微米的最高高度Rz。
5.根據權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述電熱合金涂層含有金屬元素和氧元素,在所述電熱合金涂層的至少一部分區域,所述氧元素的原子百分比為5~30at%。
6.根據權利要求5所述的復合材料,其特征在于,所述金屬元素包含:
15~25at%的鉻元素;
10~20at%的鋁元素;
0.1~1.5at%的釔元素;和
余量的鐵元素。
7.根據權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述絕緣層為絕緣涂層,在至少一部分區域,所述絕緣層的孔隙率不超過5%。
8.根據權利要求7所述的復合材料,其特征在于,在所述復合材料垂直于所述基體所在平面的至少一個截面上,所述基體與所述絕緣層的界面輪廓具有不低于20微米的輪廓算術平均偏差Ra。
9.根據權利要求8所述的復合材料,其特征在于,所述基體與所述絕緣層的界面輪廓具有不低于30微米的輪廓算術平均偏差Ra。
10.根據權利要求8所述的復合材料,其特征在于,所述基體與所述絕緣層的界面輪廓具有不低于25微米的最高高度Rz。
11.根據權利要求8所述的復合材料,其特征在于,所述基體與所述絕緣層的界面輪廓具有不低于35微米的最高高度Rz。
12.根據權利要求1所述的復合材料,其特征在于,進一步包括導電層,所述導電層形成在所述電熱合金涂層的至少一部分表面上,構成所述導電層的材料包括銀或者銅。
13.根據權利要求12所述的復合材料,其特征在于,所述導電層為導電涂層,在所述復合材料垂直于所述基體所在平面的至少一個截面上,所述導電涂層與所述電熱合金涂層的界面輪廓具有不低于5微米的輪廓算術平均偏差Ra。
14.根據權利要求13所述的復合材料,其特征在于,所述導電涂層與所述電熱合金涂層的界面輪廓具有不低于20微米的輪廓算術平均偏差Ra。
15.根據權利要求13所述的復合材料,其特征在于,所述導電涂層與所述電熱合金涂層的界面輪廓具有不低于8微米的最高高度Rz。
16.根據權利要求13所述的復合材料,其特征在于,所述導電涂層與所述電熱合金涂層的界面輪廓具有不低于25微米的最高高度Rz。
17.根據權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述電熱合金涂層具有預定圖案,所述電熱合金涂層在垂直于所述基體所在平面的截面上,間隔分布。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C4-00 熔融態覆層材料噴鍍法,例如火焰噴鍍法、等離子噴鍍法或放電噴鍍法的鍍覆
C23C4-02 .待鍍材料的預處理,例如為了在選定的表面區域鍍覆
C23C4-04 .以鍍覆材料為特征的
C23C4-12 .以噴鍍方法為特征的
C23C4-18 .后處理
C23C4-14 ..用于長形材料的鍍覆





