[發明專利]光源裝置

有效

• 申請號: 202010004751.6
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111917002B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 李文;洪祥致;楊淑樺;蘇渝宏
• 申請（專利權）人: 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 王月春;冷文燕

本發明公開一種光源裝置，包括：基板、上電極層、圍墻、發光單元、黏著膠、及透光件。上電極層設置于所述基板；圍墻由液晶高分子所制成且設置于基板；圍墻呈環形階梯狀且包含有遠離基板的上階面、相連于上階面內緣的上梯面、位于上梯面內側的下階面、位于下階面與上梯面之間的收容溝、及相連于下階面內緣且遠離上階面的下梯面。下階面與基板的距離小于上階面與基板的距離，并且下梯面與基板包圍形成有容置槽。發光單元安裝于上電極層、并位于容置槽內。黏著膠位于收容溝內。透光件設置于下階面、并與上梯面呈間隔設置，透光件通過黏著膠而固定于圍墻。據此，所述光源裝置通過采用不同于TO?CAN封裝的構造，以符合現今各式不同要求。

技術領域

本發明涉及一種光源裝置，尤其涉及一種采用新型態封裝結構的光源裝置。

背景技術

現有光源裝置多采用TO-CAN(Transistor Outline-CAN晶體管外形罐)封裝，于近年來并未有大幅的結構改良，因而逐漸難以符合各式不同要求。于是，本發明人認為上述缺陷可改善，特潛心研究并配合科學原理的運用，終于提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。

發明內容

本發明實施例在于提供一種光源裝置，其能有效地改善現有光源裝置所可能產生的缺陷。

本發明實施例公開一種光源裝置，所述光源裝置包括：一基板，包含有位于相反側的一第一板面與一第二板面；一上電極層，設置于所述基板的所述第一板面；一圍墻，由液晶高分子所制成且設置于所述第一板面；所述圍墻呈環形階梯狀且包含有：一上階面，遠離所述基板；一上梯面，相連于所述上階面的內緣；一下階面，位于所述上梯面的內側，并且所述下階面與所述第一板面的一距離小于所述上階面與所述第一板面的一距離；至少一個收容溝，位于所述下階面與所述上梯面之間；及一下梯面，相連于所述下階面內緣且遠離所述上階面；其中，所述下梯面與所述第一板面包圍形成有一容置槽；一發光單元，安裝于所述上電極層、并位于所述容置槽內；一黏著膠，位于至少一個所述收容溝內；以及一透光件，設置于所述下階面、并與所述上梯面呈間隔設置；其中，所述透光件通過所述黏著膠而固定于所述圍墻。

優選地，至少一個所述收容溝的內壁面形成有包含極性基團的一活性分子層，并且所述黏著膠通過作用于所述極性基團而與所述活性分子層接著。

優選地，所述活性分子層包含有酯基(O＝C-OR)、羧基(-COOH)及羥基(-OH)的至少其中之一，所述黏著膠包含有與所述活性分子層相互鍵結的環氧基團及羥基的至少其中一種。

優選地，所述活性分子層為至少一個所述收容溝的所述內壁面通過一紫外光處理或紫外光臭氧(UVO)處理而形成。

優選地，所述紫外光處理或所述紫外光臭氧處理采用波長180-365nm的紫外光，且所述紫外光的照射能量要大于所述液晶高分子的碳碳鍵(C-C)、碳氫鍵(C-H)及苯環中的碳碳鍵(π-π*)的至少其中一種。

優選地，所述圍墻包含的至少一個所述收容溝的數量為兩個,所述黏著膠位于兩個所述收容溝內；所述圍墻包含有連接于所述上梯面與所述下階面的兩個傾斜面，并且兩個所述傾斜面是分別相連于所述下階面的相反兩側，每個所述傾斜面的一側與所述下階面相連形成有超過90度的一夾角，并且每個所述傾斜面的另一側與所述上梯面共同構成夾角小于90度的一個收容溝。

優選地，所述光源裝置進一步包括有：一固晶膠層，黏接于所述發光單元與所述上電極層之間，并且所述固晶膠層形成有自其外表面向內延伸的至少一個孔隙；及一保護層，附著于所述固晶膠層的所述外表面、并向內延伸入至少一個所述孔隙，以使所述保護層充填于至少一個所述孔隙的局部或全部。

優選地，所述保護層是耐高溫有機物、無機物、或無機/有機雜化材料。

優選地，所述發光單元是一垂直腔面發射激光器或紅外燈。

優選地，所述垂直腔面發射激光器包含涂布于其表面上的一絕緣保護層以及位于所述絕緣保護層下方的一分布式布拉格反射層。