[發(fā)明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010004028.8
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN113078098A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設計）人: 林鑫成
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/088;H01L29/778;H01L21/8234;H01L21/335
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

一基板，包括一第一區(qū)域和一第二區(qū)域；

一外延層，位于該基板的上方；

一第一元件，設置于該基板的該第一區(qū)域上，該第一元件包含：

一第一柵極，位于該外延層上，且一介電層形成于該外延層上并覆蓋該第一柵極；

一第一源極電極和一第一漏極電極分別位于該第一柵極的相對兩側；

一第二元件，設置于該基板的該第二區(qū)域上，該第二元件包含：

一第二柵極，位于該介電層上；

一第二源極電極和一第二漏極電極分別位于該第二柵極的相對兩側，其中該第二源極電極與該第一漏極電極電連接；以及

一隔離結構，設置于該基板上，且該第一區(qū)域與該第二區(qū)域中的該外延層通過該隔離結構而彼此隔絕開來。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第二元件的該第二柵極電連接該第一元件的該第一源極電極。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該隔離結構貫穿該外延層并接觸該基板的頂面。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，更包括一晶種層位于該基板上，其中該外延層位于該晶種層上。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，該隔離結構貫穿該外延層與該晶種層并接觸該基板的頂面。

6.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，該第一源極電極包含相互電連接的兩個第一導電部，該第一元件更包含一第一貫孔與前述兩個第一導電部其中一者電連接，且該第一貫孔穿過該外延層并接觸該晶種層。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，該第二源極電極包含相互電連接的兩個第二導電部，該第二元件更包含一第二貫孔與前述兩個第二導電部其中一者電連接，且該第二貫孔穿過該外延層并接觸該晶種層。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一柵極包含p型摻雜的氮化鎵，該第二柵極包含金屬或多晶硅。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一元件是增強型高壓晶體管，該第二元件是空乏型高壓晶體管。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，更包括一層間介電層，位于該外延層上且覆蓋該第一元件以及該第二元件，其中該層間介電層包含覆蓋該第一柵極的該介電層以及覆蓋該第二柵極的另一介電層。

11.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，更包括：

一第三元件，設置于該基板的該第二區(qū)域上，該第三元件包含：

一第三柵極，位于該介電層上；

一第三源極電極和一第三漏極電極分別位于該第三柵極的相對兩側；

其中，該第三元件的該第三源極電極與該第二元件的該第二漏極電極電連接。

12.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，該第三元件的該第三柵極電連接該第二元件的該第二源極電極。

13.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，更包括：

另一隔離結構，設置于該基板上，使對應于該第二元件和該第三元件的該外延層彼此隔絕。

14.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，該第一元件是增強型高壓晶體管，該第二元件和該第三元件是空乏型高壓晶體管。

15.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該基板包含一基底和設置于該基底上的一絕緣層，且該外延層位于該絕緣層的上方。