[發明專利]一種針對NB-IOT設備的發射功率點校準方法及存儲介質

有效

• 申請號: 202010003002.1
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111200840B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 張春鋒;詹啟軍;陳文超
• 申請（專利權）人: 廣東九聯科技股份有限公司
• 主分類號: H04W24/08
• 分類號: H04W24/08;H04W52/14
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 葉新平

本發明涉及NB?IOT技術領域，具體公開了一種針對NB?IOT設備的發射功率點校準方法及存儲介質，所述方法先對常規校準后的RF增益參數?功率波形圖進行同一功率段賦予相同值的處理，然后根據處理后的RF增益參數?功率波形圖調整常規校準后的TX增益參數?功率波形圖，從而使得每一功率段的電壓可用二次函數近似表示，再通過每段選取用于校準的三個功率點計算出每一功率段二次函數的表達式，最后將具體的功率點代入其對應的二次函數表達式后即可求出對應的基帶TX增益參數值，由此只需要校準不超過三分之一的功率點便可得到所有功率點的基帶TX增益參數值，大量減少校準時間，提高校準效率，且控制誤差在接受范圍內，校準的質量也得到保證。

技術領域

本發明涉及NB-IOT技術領域，尤其涉及一種針對NB-IOT設備的發射功率點校準方法及存儲介質。

背景技術

窄帶物聯網(NB-IoT)廣泛應用于低功耗產品中，隨著市場需求的增長，生產效率以及成本成為重要問題，在生產校準環節中、減少校準時間、提高校準效率可有效提高生產效率以及降低長產成本。

當前常規的發射功率校準從-45dBm至24dBm，步進為1dBm，共70個功率點，如果對每一個功率點都進行校準，則將占據大部分校準時間。

發明內容

本發明提供一種針對NB-IOT設備的發射功率點校準方法及存儲介質，解決的技術問題是，現有對功率點進行一一校準的方法，校準時間較長，校準效率較低。

為解決以上技術問題，本發明提供一種針對NB-IOT設備的發射功率點校準方法，包括步驟：

S1.將發射功率劃分為多個連續的功率段；

S2.重新確定每個所述功率段所對應的RF增益參數；

S3.根據所述RF增益參數值重新確定每個所述功率段所對應的基帶TX增益參數曲線；

S4.根據所述基帶TX增益參數曲線確定每個發射功率點的基帶TX增益參數值。

進一步地，在所述步驟S2中，重新確定的每個所述功率段所對應的所述RF增益參數值為一定值。

進一步地，在所述步驟S1前還設有步驟：

S0.對NB-IOT設備進行常規校準，得到基帶TX增益參數與發射功率的TX增益參數-功率波形圖和RF增益參數與發射功率的RF增益參數-功率波形圖。

進一步地，所述步驟S1具體為：

將-45～24dBm發射功率根據所述RF增益參數-功率波形圖劃分為六個連續的功率段。

進一步地，所述六個連續的功率段分別是[-45,-37]、[-36,-30]、[-29,0]、[1,7][8,14][15,24]。

進一步地，在所述步驟S3中，所述TX增益參數-功率波形圖中的每一段基帶TX增益參數曲線用二次函數區間近似表示為y＝ax^2+bx+c，x表示發射功率點，y表示基帶TX增益參數值，參數a、b、c由校準的三個發射功率點計算得出。

進一步地，假設校準的三個發射功率點為(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)，則：

b＝((x1^2-x2^2)*(y1-y3))-((x1^2-x3^2)*(y1-y2))/((x1^2-x2^2)*(x1-x3))-((x1-x2)*(x1^2-x3^2))；

a＝((y2-y1)-b*(x2-x1))/(x2^2-x1^2)；

c＝y1-a*x1^2-b*x1。

進一步地，所述三個發射功率點為每段基帶TX增益參數曲線的起始點、中間點和末尾點。