[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010001127.0 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN111146210A | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 胡迎賓;趙策;丁遠奎;王明;李偉;李廣耀;宋威;倪柳松;閆梁臣 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置中,屬于顯示技術領域,其可至少部分解決現(xiàn)有的顯示裝置無法進一步提高分辨率的問題。本發(fā)明實施例的驅動薄膜晶體管的第一電極和補償薄膜晶體管的第一電極通過連接部在同一層上連為一體,無需像現(xiàn)有技術那樣在介電層上實現(xiàn)驅動薄膜晶體管和補償薄膜晶體管的搭接,減小了驅動薄膜晶體管的第一電極和補償薄膜晶體管的第一電極之間的距離,以節(jié)省搭接空間,縮小電路所占用的面積,進而提高產(chǎn)品分辨率,從而提高產(chǎn)品顯示質量。另外,本發(fā)明提供的陣列基板不改變像素電路的電路結構,因而不會引入新的工藝難點。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)為主動發(fā)光顯示器件,具有超薄、大視角、高亮度、成本低、響應速度快、低功耗、工作溫度范圍寬及可柔性顯示等優(yōu)點,已逐漸成為極具發(fā)展前景的下一代顯示技術,越來越多的應用各種顯示裝置中。
圖1為現(xiàn)有技術中一種陣列基板的結構示意圖。如圖1所示,該陣列基板的像素電路包括開關薄膜晶體管T1、驅動薄膜晶體管T2和補償薄膜晶體管T3,在開關薄膜晶體管T1、驅動薄膜晶體管T2和補償薄膜晶體管T3的遠離襯底的一側設置有介電層,在介電層對應驅動薄膜晶體管T2的漏極的位置處設置有第一過孔,在介電層對應補償薄膜晶體管T3的源極的位置處設置有第二過孔,驅動薄膜晶體管T2的漏極通過第一過孔與第二過孔與補償薄膜晶體管T3的源極電連接(搭接)。
現(xiàn)有技術中至少存在如下問題:以上結構需要在介電層中設置過孔,而受限于掩膜工藝,過孔間的距離無法過小,從而無法降低像素電路所占面積,進而導致產(chǎn)品分辨率不能進一步得到提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明至少部分解決現(xiàn)有的顯示裝置無法進一步提高分辨率的問題,提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
本發(fā)明的一個方面提供一種陣列基板,包括襯底和多個像素電路,每個像素電路包括驅動薄膜晶體管和補償薄膜晶體管,其中,
所述驅動薄膜晶體管的第一電極和所述補償薄膜晶體管的第一電極連為一體形成連接部,并且,所述連接部、所述驅動薄膜晶體管的有源層和所述補償薄膜晶體管的有源層同層設置。
可選地,所述連接部由經(jīng)過導體化的半導體材料構成。
可選地,所述驅動薄膜晶體管的第二電極、所述補償薄膜晶體管的第二電極與所述驅動薄膜晶體管的有源層同層設置。
可選地,所述像素電路還包括開關薄膜晶體管,所述開關薄膜晶體管的第一電極與數(shù)據(jù)線電連接,所述開關薄膜晶體管的第二電極與所述驅動晶體管的第二電極和柵極電連接。
可選地,所述開關薄膜晶體管的有源層與所述驅動薄膜晶體管的有源層同層設置。
可選地,所述開關薄膜晶體管的第一電極和第二電極與其有源層同層設置;
所述驅動薄膜晶體管的第一電極和第二電極與其有源層同層設置。
可選地,設于所述驅動薄膜晶體管的有源層和柵極的遠離所述襯底的一側的介電層;以及
設于所述介電層的遠離所述襯底的一側的連接線,所述連接線通過所述介電層中的過孔分別與所述驅動薄膜晶體管的第二電極、所述驅動薄膜晶體管的柵極、所述開關晶體管的第二電極連接。
本發(fā)明的另一個方面提供一種陣列基板的制備方法,其包括:
提供所述襯底;
在所述襯底上形成同層設置的驅動薄膜晶體管的有源層、補償薄膜晶體管的有源層與連接部;所述連接部由所述驅動薄膜晶體管的第一電極和所述補償薄膜晶體管的第一電極連為一體形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





