[發(fā)明專利]經(jīng)表面處理的銅箔及其制造方法、以及包括該經(jīng)表面處理的銅箔的二次電池用負(fù)極

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980102949.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN114788054A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹相華;徐正雨;崔恩實(shí);柳永昊;金亨哲;范元辰;宋基德;梁暢烈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日進(jìn)材料股份有限公司
• 主分類號(hào): H01M4/66
• 分類號(hào): H01M4/66;H01M4/13;C25D5/12;C23C28/00;H01M4/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 孫微

1.一種用于二次電池用負(fù)極集電體的經(jīng)表面處理的銅箔，所述經(jīng)表面處理的銅箔包括在其至少一個(gè)表面上形成的針狀銅顆粒，

其中所述銅顆粒的平均長(zhǎng)軸長(zhǎng)度為約0.6μm至約2.0μm，并且彼此間隔的距離為約1μm至約5μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)表面處理的銅箔，其中所述銅顆粒的長(zhǎng)徑比為約1.5至約10。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)表面處理的銅箔，其中所述經(jīng)表面處理的銅箔的厚度為約1μm至約100μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的經(jīng)表面處理的銅箔，其中所述經(jīng)表面處理的銅箔的界面電阻比未經(jīng)處理的銅箔低約10％以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的經(jīng)表面處理的銅箔，其中所述經(jīng)表面處理的銅箔的界面電阻為約0.0025ohm/m²至約0.0032ohm/m²。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的經(jīng)表面處理的銅箔，其中所述經(jīng)表面處理的銅箔的粘合強(qiáng)度比未經(jīng)處理的銅箔高約20％以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的經(jīng)表面處理的銅箔，其中所述經(jīng)表面處理的銅箔的粘合強(qiáng)度為約3gf/mm至約5gf/mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的經(jīng)表面處理的銅箔，還包括：

覆蓋所述銅顆粒的防銹層，所述防銹層包括無機(jī)防銹層、有機(jī)防銹層或它們的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的經(jīng)表面處理的銅箔，其中所述無機(jī)防銹層包含鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、或它們的合金或組合，并且所述有機(jī)防銹層包含唑類化合物、硅烷類化合物或它們的組合。

10.一種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的經(jīng)表面處理的銅箔的方法，所述方法包括：

通過使銅箔浸入包含約5g/L至約15g/L的鎳鹽和約5g/L至約20g/L的銅鹽的一次電解質(zhì)中，隨后以約25℃至約45℃的液體溫度和約1A/dm²至約5A/dm²的電流密度電解約1秒至5秒，從而進(jìn)行一次鍍覆；以及

通過使經(jīng)一次鍍覆的銅箔浸入包含約40g/L至約70g/L的銅鹽和約100g/L至約150g/L的硫酸的二次電解質(zhì)中，然后以約25℃至約45℃的液體溫度和約10A/dm²至約20A/dm²的電流密度電解約1秒至5秒，從而進(jìn)行二次鍍覆。

11.一種二次電池用負(fù)極，包括：

根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的經(jīng)表面處理的銅箔；以及

涂覆在所述經(jīng)表面處理的銅箔上的負(fù)極活性材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的負(fù)極，其中所述負(fù)極活性材料包括碳、金屬、金屬氧化物、金屬碳化物或它們的組合。